Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
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TÃTULO: Quantum Well Intermixing and Radiation Effects in InGaN/GaN Multi Quantum Wells
AUTORES: Lorenz, K; Redondo Cubero, A; Lourenco, MB; Sequeira, MC; Peres, M; Freitas, A; Alves, LC; Alves, E; Leitao, MP; Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Correia, MR; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Conference on Gallium Nitride Materials and Devices XI in GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XI, VOLUME: 9748
AUTORES: Lorenz, K; Redondo Cubero, A; Lourenco, MB; Sequeira, MC; Peres, M; Freitas, A; Alves, LC; Alves, E; Leitao, MP; Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Correia, MR; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Conference on Gallium Nitride Materials and Devices XI in GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XI, VOLUME: 9748
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TÃTULO: Spectroscopic analysis of the NIR emission in Tm implanted AlxGa1-xN layers Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Esteves, TC; Santos, NF; Ben Sedrine, N; Rino, L; Neves, AJ; Lorenz, K; Alves, E; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 8
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Esteves, TC; Santos, NF; Ben Sedrine, N; Rino, L; Neves, AJ; Lorenz, K; Alves, E; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al 0.15 Ga 0.85 N Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 49, NÚMERO: 13
AUTORES: Magalhães, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 49, NÚMERO: 13
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TÃTULO: Self-organised silicide nanodot patterning by medium-energy ion beam sputtering of Si (100): local correlation between the morphology and metal content
AUTORES: Redondo Cubero, A; Galiana, B; Lorenz, K; Palomares, FJ; Bahena, D; Ballesteros, C; Hernandez Calderon, I; Vazquez, L;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 27, NÚMERO: 44
AUTORES: Redondo Cubero, A; Galiana, B; Lorenz, K; Palomares, FJ; Bahena, D; Ballesteros, C; Hernandez Calderon, I; Vazquez, L;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 27, NÚMERO: 44
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TÃTULO: Impact of implantation geometry and fluence on structural properties of AlxGa1-xN implanted with thulium Full Text
AUTORES: Fialho, M; Magalhaes, S; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 16
AUTORES: Fialho, M; Magalhaes, S; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 16
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TÃTULO: Ion-beam induced effects in multi-layered semiconductor systems
AUTORES: Wendler, E; Sobolev, NA; Redondo Cubero, A; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 253, NÚMERO: 11
AUTORES: Wendler, E; Sobolev, NA; Redondo Cubero, A; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 253, NÚMERO: 11
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TÃTULO: Correction to "Spectroscopic Analysis of Eu 3+ Implanted and Annealed GaN Layers and Nanowires"
AUTORES: Rodrigues, J; Leitão, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 12
AUTORES: Rodrigues, J; Leitão, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 12
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TÃTULO: Composition, structure and morphology of Al1-xInxN thin films grown on Al1-yGayN templates with different GaN contents Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Watson, IM; Pereira, S; Franco, N; Tan, LT; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Araujo, JP ; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 1
AUTORES: Magalhaes, S; Watson, IM; Pereira, S; Franco, N; Tan, LT; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Araujo, JP ; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 48, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Rare earth ion implantation and optical activation in nitride semiconductors for multicolor emission Full Text
AUTORES: Pierre Ruterana; Marie Pierre Chauvat; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 30, NÚMERO: 4
AUTORES: Pierre Ruterana; Marie Pierre Chauvat; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 30, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Ion damage overrides structural disorder in silicon surface nanopatterning by low-energy ion beam sputtering
AUTORES: Moreno Barrado, A; Gago, R; Redondo Cubero, A; Vazquez, L; Munoz Garcia, J; Cuerno, R; Lorenz, K; Castro, M;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: EPL, VOLUME: 109, NÚMERO: 4
AUTORES: Moreno Barrado, A; Gago, R; Redondo Cubero, A; Vazquez, L; Munoz Garcia, J; Cuerno, R; Lorenz, K; Castro, M;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: EPL, VOLUME: 109, NÚMERO: 4
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