Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
121
TÃTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics Full Text
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: an integrated review
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
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TÃTULO: Erratum: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO<inf>3</inf>: A review (Optical Engineering (2014) 53:6 (060901))
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO<inf>3</inf>: A review
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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TÃTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics Full Text
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Errata: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: a review
AUTORES: José G Marques; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering - Opt. Eng, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
AUTORES: José G Marques; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering - Opt. Eng, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
127
TÃTULO: Functional nanowires: Synthesis, characterization and applications
AUTORES: Bianchi Méndez; Katharina Lorenz; Beatrice Fraboni; Oliver Ambacher;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, VOLUME: 11, NÚMERO: 2
AUTORES: Bianchi Méndez; Katharina Lorenz; Beatrice Fraboni; Oliver Ambacher;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, VOLUME: 11, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Composition and luminescence studies of InGaN epilayers grown at different hydrogen flow rates Full Text
AUTORES: Taylor, E; Fang, F; Oehler, F; Edwards, PR; Kappers, MJ; Lorenz, K; Alves, E ; McAleese, C; Humphreys, CJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 28, NÚMERO: 6
AUTORES: Taylor, E; Fang, F; Oehler, F; Edwards, PR; Kappers, MJ; Lorenz, K; Alves, E ; McAleese, C; Humphreys, CJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 28, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Enhanced red emission from praseodymium-doped GaN nanowires by defect engineering Full Text
AUTORES: Lorenz, K; Nogales, E; Miranda, SMC; Franco, N; Mendez, B; Alves, E ; Tourbot, G; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 61, NÚMERO: 9
AUTORES: Lorenz, K; Nogales, E; Miranda, SMC; Franco, N; Mendez, B; Alves, E ; Tourbot, G; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 61, NÚMERO: 9
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TÃTULO: Nanostructures and thin films of transparent conductive oxides studied by perturbed angular correlations Full Text
AUTORES: Barbosa, MB; Goncalves, JN ; Redondo Cubero, A ; Miranda, SMC; Simon, R; Kessler, P; Brandt, M; Henneberger, F; Nogales, E; Mendez, B; Johnston, K; Alves, E ; Vianden, R; Araujo, JP ; Lorenz, K; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 250, NÚMERO: 4
AUTORES: Barbosa, MB; Goncalves, JN ; Redondo Cubero, A ; Miranda, SMC; Simon, R; Kessler, P; Brandt, M; Henneberger, F; Nogales, E; Mendez, B; Johnston, K; Alves, E ; Vianden, R; Araujo, JP ; Lorenz, K; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 250, NÚMERO: 4
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