Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
151
TÃTULO: The photoluminescence/excitation (PL/E) spectroscopy of Eu-implanted GaN Full Text
AUTORES: K.P O’Donnell; I.S Roqan; Ke Wang; Lorenz, K; Alves, E; Boćkowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
AUTORES: K.P O’Donnell; I.S Roqan; Ke Wang; Lorenz, K; Alves, E; Boćkowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
152
TÃTULO: <title>Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO</title>
AUTORES: Lorenz, K; Peres, M; Franco, N; Marques, JG; Miranda, SMC; Magalhães, S; Monteiro, T; Wesch, W; Alves, E; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
AUTORES: Lorenz, K; Peres, M; Franco, N; Marques, JG; Miranda, SMC; Magalhães, S; Monteiro, T; Wesch, W; Alves, E; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
153
TÃTULO: Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors
AUTORES: Keßler, P; Lorenz, K; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Defect and Diffusion Forum - DDF, VOLUME: 311
AUTORES: Keßler, P; Lorenz, K; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Defect and Diffusion Forum - DDF, VOLUME: 311
154
TÃTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
155
TÃTULO: Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ; Alves, E; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
AUTORES: Magalhães, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ; Alves, E; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
156
TÃTULO: Depth-resolved analysis of spontaneous phase separation in the growth of lattice-matched AlInN Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; M-A di Forte Poisson; Alves, E; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 43, NÚMERO: 5
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; M-A di Forte Poisson; Alves, E; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 43, NÚMERO: 5
157
TÃTULO: Alloy and lattice disorder in Hf implanted Full Text
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
158
TÃTULO: Breakdown of anomalous channeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
159
TÃTULO: Optical and structural properties of Eu-implanted In[sub x]Al[sub 1−x]N Full Text
AUTORES: Roqan, IS; O’Donnell, KP; Martin, RW; Trager-Cowan, C; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K; Alves, E; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 106, NÚMERO: 8
AUTORES: Roqan, IS; O’Donnell, KP; Martin, RW; Trager-Cowan, C; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K; Alves, E; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 106, NÚMERO: 8
160
TÃTULO: Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 42, NÚMERO: 6
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 42, NÚMERO: 6
