Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
161
TÃTULO: Metal-organic vapor phase epitaxy and properties of AlInN in the whole compositional range (vol 90, art no 022105, 2007) Full Text
AUTORES: Hums, C; Blaesing, J; Dadgar, A; Diez, A; Hempel, T; Christen, J; Krost, A; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 91, NÚMERO: 13
AUTORES: Hums, C; Blaesing, J; Dadgar, A; Diez, A; Hempel, T; Christen, J; Krost, A; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 91, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: 
ORCID | ResearcherID
ORCID | ResearcherID162
TÃTULO: Implantation of nanoporous GaN with Eu ions Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Peres, M; Monteiro, T; Tripathy, S; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 257, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Peres, M; Monteiro, T; Tripathy, S; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 257, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: Erratum: Metal-organic vapor phase epitaxy and properties of AlInN in the whole compositional range (Appl. Phys. Lett. (2007) 90(2) (022105) (10.1063/1.2424649))
AUTORES: Hums C.; Bläsing J.; Dadgar A.; Diez A.; Hempel T.; Christen J.; Krost A.; Lorenz K.; Alves E.;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 90, NÚMERO: 13
AUTORES: Hums C.; Bläsing J.; Dadgar A.; Diez A.; Hempel T.; Christen J.; Krost A.; Lorenz K.; Alves E.;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 90, NÚMERO: 13
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TÃTULO: Structure and role of ultrathin AlN layers for improving optical activation of rare earth implanted GaN Full Text
AUTORES: Wójtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Nouet, G; Bodiou, L; Braud, A; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: physica status solidi (b) - phys. stat. sol. (b), VOLUME: 243, NÚMERO: 7
AUTORES: Wójtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Nouet, G; Bodiou, L; Braud, A; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: physica status solidi (b) - phys. stat. sol. (b), VOLUME: 243, NÚMERO: 7
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TÃTULO: TEM investigation of Tm implanted GaN, the influence of high temperature annealing Full Text
AUTORES: Wójtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
AUTORES: Wójtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
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TÃTULO: Lattice order in thulium-doped GaN epilayers: In situ doping versus ion implantation Full Text
AUTORES: Hernández, S; Cuscó, R; Artús, L; Nogales, E; R.W Martin; K.P O’Donnell; Halambalakis, G; Briot, O; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
AUTORES: Hernández, S; Cuscó, R; Artús, L; Nogales, E; R.W Martin; K.P O’Donnell; Halambalakis, G; Briot, O; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
167
TÃTULO: A microspectroscopic study of cap damage in annealed RE-doped AlN-capped
AUTORES: Nogales, E; Lorenz, K; Wang, K; Roqan, IS; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on GaN, AIN, InN Related Materials held at the 2005 MRS Fall Meeting in GAN, AIN, INN AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 892
AUTORES: Nogales, E; Lorenz, K; Wang, K; Roqan, IS; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on GaN, AIN, InN Related Materials held at the 2005 MRS Fall Meeting in GAN, AIN, INN AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 892
INDEXADO EM: WOS
WOS168
TÃTULO: Gallium nitride epitaxy on (0001) sapphire
AUTORES: Narayanan V.; Lorenz K.; Wook Kim; Mahajan S.;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Philosophical Magazine A: Physics of Condensed Matter, Structure, Defects and Mechanical Properties, VOLUME: 82, NÚMERO: 5
AUTORES: Narayanan V.; Lorenz K.; Wook Kim; Mahajan S.;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Philosophical Magazine A: Physics of Condensed Matter, Structure, Defects and Mechanical Properties, VOLUME: 82, NÚMERO: 5
169
TÃTULO: Annealing behaviour of GaN after implantation with hafnium and indium Full Text
AUTORES: Lorenz, K; Ruske, F; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
AUTORES: Lorenz, K; Ruske, F; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: WOS 
CrossRef
WOS CrossRef NO MEU: ORCID | ResearcherID
ORCID | ResearcherID170
TÃTULO: OPTICAL DOPING OF NITRIDES BY ION IMPLANTATION Full Text
AUTORES: ALVES, E; LORENZ, K; VIANDEN, R; BOEMARE, C; SOARES, MJ; MONTEIRO, T;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Modern Physics Letters B - Mod. Phys. Lett. B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28n29
AUTORES: ALVES, E; LORENZ, K; VIANDEN, R; BOEMARE, C; SOARES, MJ; MONTEIRO, T;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Modern Physics Letters B - Mod. Phys. Lett. B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28n29
