Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
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TÃTULO: RBS/C, XRR, and XRD Studies of Damage Buildup in Er-Implanted ZnO Full Text
AUTORES: Jozwik, P; Magalhaes, S; Ratajczak, R; Mieszczynski, C; Sequeira, M; Turos, A; Bottger, R; Heller, R; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Symposium K on Defect-Induced Effects in Nanomaterials at the Meeting of the European-Materials-Research-Society in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 256, NÚMERO: 5
AUTORES: Jozwik, P; Magalhaes, S; Ratajczak, R; Mieszczynski, C; Sequeira, M; Turos, A; Bottger, R; Heller, R; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Symposium K on Defect-Induced Effects in Nanomaterials at the Meeting of the European-Materials-Research-Society in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 256, NÚMERO: 5
42
TÃTULO: Eu Activation in beta-Ga2O3 MOVPE Thin Films by Ion Implantation
AUTORES: Peres, M; Nogales, E; Mendez, B; Lorenz, K; Correia, MR; Monteiro, T; Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 8, NÚMERO: 7
AUTORES: Peres, M; Nogales, E; Mendez, B; Lorenz, K; Correia, MR; Monteiro, T; Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 8, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Luminescence properties of MOCVD grown Al0.2Ga0.8N layers implanted with Tb
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Magalhaes, S; Lorenz, K; Alves, E; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 210
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Magalhaes, S; Lorenz, K; Alves, E; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 210
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TÃTULO: Incorporation of Europium into GaN Nanowires by Ion Implantation
AUTORES: Faye, DN; Biquard, X; Nogales, E; Felizardo, M ; Peres, M; Redondo Cubero, A; Auzelle, T; Daudin, B; Tizei, LHG; Kociak, M; Ruterana, P; Möller, W; Méndez, B; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 123, NÚMERO: 18
AUTORES: Faye, DN; Biquard, X; Nogales, E; Felizardo, M ; Peres, M; Redondo Cubero, A; Auzelle, T; Daudin, B; Tizei, LHG; Kociak, M; Ruterana, P; Möller, W; Méndez, B; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 123, NÚMERO: 18
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TÃTULO: Engineering strain and conductivity of MoO3 by ion implantation Full Text
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Diaz Guerra; Marco Peres; Sergio Magalhaes; Joao G Correia; Jose G Marques; Ana G Silva; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 169
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Diaz Guerra; Marco Peres; Sergio Magalhaes; Joao G Correia; Jose G Marques; Ana G Silva; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 169
INDEXADO EM: 
WOS
WOS47
TÃTULO: Micro-Opto-Electro-Mechanical Device Based on Flexible beta-Ga2O3 Micro-Lamellas
AUTORES: Peres, M; Fernandes, AJS; Oliveira, FJ; Alves, LC; Alves, E; Monteiro, TS; Cardoso, S; Alonso Orts, M; Nogales, E; Mendez, B; Villora, EG; Shimamura, K; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 8, NÚMERO: 7
AUTORES: Peres, M; Fernandes, AJS; Oliveira, FJ; Alves, LC; Alves, E; Monteiro, TS; Cardoso, S; Alonso Orts, M; Nogales, E; Mendez, B; Villora, EG; Shimamura, K; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 8, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Modelling of Optical Damage in Nanorippled ZnO Produced by Ion Irradiation
AUTORES: Redondo Cubero, A; Vazquez, L; Jalabert, D; Lorenz, K; Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: CRYSTALS, VOLUME: 9, NÚMERO: 9
AUTORES: Redondo Cubero, A; Vazquez, L; Jalabert, D; Lorenz, K; Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: CRYSTALS, VOLUME: 9, NÚMERO: 9
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TÃTULO: Studying electronic properties in GaN without electrical contacts using gamma-gamma vs e(-)-gamma Perturbed Angular Correlations Full Text
AUTORES: Barbosa, MB; Correia, JG; Lorenz, K; Vianden, R; Araujo, JP ;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 9, NÚMERO: 1
AUTORES: Barbosa, MB; Correia, JG; Lorenz, K; Vianden, R; Araujo, JP ;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 9, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Monte Carlo simulations of ion channeling in crystals containing dislocations and randomly displaced atoms
AUTORES: Jozwik, P; Nowicki, L; Ratajczak, R; Stonert, A; Mieszczynski, C; Turos, A; Morawiec, K; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 126, NÚMERO: 19
AUTORES: Jozwik, P; Nowicki, L; Ratajczak, R; Stonert, A; Mieszczynski, C; Turos, A; Morawiec, K; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 126, NÚMERO: 19
