Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
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TÃTULO: Engineering strain and conductivity of MoO<inf>3</inf> by ion implantation Full Text
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Díaz Guerra; Marco Peres; Sérgio Magalhães; João G Correia; José G Marques; Ana G Silva ; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Acta Materialia, VOLUME: 169
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Díaz Guerra; Marco Peres; Sérgio Magalhães; João G Correia; José G Marques; Ana G Silva ; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Acta Materialia, VOLUME: 169
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TÃTULO: Micro-Opto-Electro-Mechanical Device Based on Flexible ß-Ga2O3 Micro-Lamellas
AUTORES: Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ECS Journal of Solid State Science and Technology
AUTORES: Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ECS Journal of Solid State Science and Technology
INDEXADO EM: Handle
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TÃTULO: Engineering strain and conductivity of MoO3 by ion implantation
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Díaz Guerra; Marco Peres; Sérgio Magalhães; João G Correia; José G Marques; Ana G Silva; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Acta Materialia, VOLUME: 169
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Díaz Guerra; Marco Peres; Sérgio Magalhães; João G Correia; José G Marques; Ana G Silva; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Acta Materialia, VOLUME: 169
INDEXADO EM: Handle
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TÃTULO: Eu-Mg defects and donor-acceptor pairs in GaN: photodissociation and the excitation transfer problem
AUTORES: Singh, AK; O'Donnell, KP; Edwards, PR; Lorenz, K; Leach, JH; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 51, NÚMERO: 6
AUTORES: Singh, AK; O'Donnell, KP; Edwards, PR; Lorenz, K; Leach, JH; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 51, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Strain detection in crystalline heterostructures using bidimensional blocking patterns of channelled particles
AUTORES: Redondo Cubero, A; David Bosne, E; Wahl, U; Miranda, P; da Silva, MR; Correia, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 51, NÚMERO: 11
AUTORES: Redondo Cubero, A; David Bosne, E; Wahl, U; Miranda, P; da Silva, MR; Correia, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 51, NÚMERO: 11
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TÃTULO: Optical investigations of europium ion implanted in nitride-based diode structures Full Text
AUTORES: Ben Sedrine, N; Rodrigues, J; Cardoso, J; Faye, DN; Fialho, M; Magalhaes, S; Martins, AF; Neves, AJ; Alves, E; Bockowski, M; Hoffmann, V; Weyers, M; Lorenz, K; Correia, MR; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB) in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 355
AUTORES: Ben Sedrine, N; Rodrigues, J; Cardoso, J; Faye, DN; Fialho, M; Magalhaes, S; Martins, AF; Neves, AJ; Alves, E; Bockowski, M; Hoffmann, V; Weyers, M; Lorenz, K; Correia, MR; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB) in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 355
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TÃTULO: Radiation sensors based on GaN microwires Full Text
AUTORES: Verheij, D; Peres, M; Cardoso, S; Alves, LC; Alves, E; Durand, C; Eymery, J; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 51, NÚMERO: 17
AUTORES: Verheij, D; Peres, M; Cardoso, S; Alves, LC; Alves, E; Durand, C; Eymery, J; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 51, NÚMERO: 17
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TÃTULO: Spatially resolved optical activation of Eu ions by laser irradiation implanted hexagonal MoO3 microrods Full Text
AUTORES: Almodovar, P; Diaz Guerra, C; Ramirez Castellanos, J; Gonzalez Calbet, JM; Peres, M; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 113, NÚMERO: 3
AUTORES: Almodovar, P; Diaz Guerra, C; Ramirez Castellanos, J; Gonzalez Calbet, JM; Peres, M; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 113, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: WOS
NO MEU: ORCID
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TÃTULO: Spatially resolved optical activation of Eu ions by laser irradiation in implanted hexagonal MoO3 microrods
AUTORES: Almodóvar, P; Díaz Guerra, C; Ramírez Castellanos, J; González Calbet, JM; Peres, M; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 113, NÚMERO: 3
AUTORES: Almodóvar, P; Díaz Guerra, C; Ramírez Castellanos, J; González Calbet, JM; Peres, M; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 113, NÚMERO: 3
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TÃTULO: GaN/AlGaN multiple quantum wells grown on transparent and conductive (-201)-oriented beta-Ga2O3 substrate for UV vertical light emitting devices
AUTORES: Ajia, IA; Yamashita, Y; Lorenz, K; Muhammed, MM; Spasevski, L; Almalawi, D; Xu, J; Iizuka, K; Morishima, Y; Anjum, DH; Wei, N; Martin, RW; Kuramata, A; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 113, NÚMERO: 8
AUTORES: Ajia, IA; Yamashita, Y; Lorenz, K; Muhammed, MM; Spasevski, L; Almalawi, D; Xu, J; Iizuka, K; Morishima, Y; Anjum, DH; Wei, N; Martin, RW; Kuramata, A; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 113, NÚMERO: 8