61
TÍTULO: Hysteretic Photochromic Switching (HPS) in Doubly Doped GaN(Mg):EuA Summary of Recent Results
AUTORES: Edwards, PR; O'Donnell, KP; Singh, AK; Cameron, D; Lorenz, K; Yamaga, M; Leach, JH; Kappers, MJ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: MATERIALS, VOLUME: 11, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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TÍTULO: In Situ Characterization and Modification of -Ga2O3 Flakes Using an Ion Micro-Probe  Full Text
AUTORES: Peres, M; Alves, LC; Rocha, F; Catarino, N; Cruz, C; Alves, E; Silva, AG ; Villora, EG; Shimamura, K; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 215, NÚMERO: 19
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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TÍTULO: Defect formation and optical activation of Tb implanted AlxGa1-xN films using channeled implantation at different temperatures  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Magalhaes, S; Rodrigues, J; Chauvat, MP; Ruterana, P; Monteiro, T; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB) in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 355
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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TÍTULO: Electrical characterization of molybdenum oxide lamellar crystals irradiated with UV light and proton beams  Full Text
AUTORES: Pereira, DR; Peres, M; Alves, LC; Correia, JG; Diaz Guerra, C; Silva, AG ; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB) in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 355
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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65
TÍTULO: Crystal damage analysis of implanted AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) by ion beam techniques  Full Text
AUTORES: Faye, DN; Dobeli, M; Wendler, E; Brunner, F; Weyers, M; Magalhaes, S; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB) in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 355
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
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TÍTULO: Multiple optical centers in Eu-implanted AlN nanowires for solid-state lighting applications
AUTORES: Cardoso, J; Ben Sedrine, N; Alves, A; Martins, MA; Belloeil, M; Daudin, B; Faye, DN; Alves, E; Lorenz, K; Neves, AJ; Correia, MR; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 113, NÚMERO: 20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8 Handle
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67
TÍTULO: Eu-Doped AlGaN/GaN Superlattice-Based Diode Structure for Red Lighting: Excitation Mechanisms and Active Sites
AUTORES: Ben Sedrine, N; Rodrigues, J; Faye, DN; Neves, AJ; Alves, E; Bockowski, M; Hoffmann, V; Weyers, M; Lorenz, K; Correia, MR; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: ACS APPLIED NANO MATERIALS, VOLUME: 1, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 13 Handle
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TÍTULO: Editorial  Full Text
AUTORES: Eduardo Alves; Katharina Lorenz; Wolfgang Einsinger; Daryush Ila;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: Surface and Coatings Technology, VOLUME: 355
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TÍTULO: Concurrent segregation and erosion effects in medium-energy iron beam patterning of silicon surfaces
AUTORES: Redondo Cubero, A; Lorenz, K; Palomares, FJ; Muñoz, A; Castro, M; Muñoz García, J; Cuerno, R; Vázquez, L;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 30, NÚMERO: 27
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 7
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TÍTULO: Implantation damage formation in a-, c- and m-plane GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K; Wendler, E; Redondo Cubero, A; Catarino, N; Chauvat, MP; Schwaiger, S; Scholz, F; Alves, E; Ruterana, P;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 123
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 72
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