Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
71
TÃTULO: Hysteretic photochromic switching of Eu-Mg defects in GaN links the shallow transient and deep ground states of the Mg acceptor
AUTORES: Singh, AK; O'Donnell, KP; Edwards, PR; Lorenz, K; Kappers, MJ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 7, NÚMERO: 1
AUTORES: Singh, AK; O'Donnell, KP; Edwards, PR; Lorenz, K; Kappers, MJ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 7, NÚMERO: 1
72
TÃTULO: Effect of buried extended defects on the radiation tolerance of ZnO
AUTORES: Azarov, A; Wendler, E; Lorenz, K; Monakhov, E; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 110, NÚMERO: 17
AUTORES: Azarov, A; Wendler, E; Lorenz, K; Monakhov, E; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 110, NÚMERO: 17
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TÃTULO: Validity of Vegard's rule for Al1-xInxN (0.08 < x < 0.28) thin films grown on GaN templates Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
AUTORES: Magalhaes, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
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TÃTULO: Effects of thermal annealing on the structural and electronic properties of rare earth-implanted MoO3 nanoplates Full Text
AUTORES: Vila, M; Diaz Guerra, C; Lorenz, K; Piqueras, J; Pis, I; Magnano, E; Munuera, C; Alves, E; Garcia Hernandez, M;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: CRYSTENGCOMM, VOLUME: 19, NÚMERO: 17
AUTORES: Vila, M; Diaz Guerra, C; Lorenz, K; Piqueras, J; Pis, I; Magnano, E; Munuera, C; Alves, E; Garcia Hernandez, M;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: CRYSTENGCOMM, VOLUME: 19, NÚMERO: 17
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TÃTULO: Validity of Vegard's rule for Al1-xInxN (0.08 < x < 0.28) thin films grown on GaN templates Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
AUTORES: Magalhães, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
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TÃTULO: Infrared dielectric functions, phonon modes, and free-charge carrier properties of high-Al-content Al<i><sub>x</sub></i>Ga<sub>1-<i>x</i></sub>N alloys determined by mid infrared spectroscopic ellipsometry and optical Hall effect
AUTORES: Schöche, S; Hofmann, T; Nilsson, D; Kakanakova Georgieva, A; Janzén, E; Kühne, P; Lorenz, K; Schubert, M; Darakchieva, V;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 121, NÚMERO: 20
AUTORES: Schöche, S; Hofmann, T; Nilsson, D; Kakanakova Georgieva, A; Janzén, E; Kühne, P; Lorenz, K; Schubert, M; Darakchieva, V;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 121, NÚMERO: 20
77
TÃTULO: Raman and cathodoluminescence analysis of transition metal ion implanted Ga2O3 nanowires
AUTORES: Gonzalo, A; Nogales, E; Lorenz, K; Villora, EG; Shimamura, K; Piqueras, J; Mendez, B;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: 19th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 191
AUTORES: Gonzalo, A; Nogales, E; Lorenz, K; Villora, EG; Shimamura, K; Piqueras, J; Mendez, B;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: 19th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 191
78
TÃTULO: Luminescence of Eu3+ in GaN(Mg, Eu): Transitions from the D-5(1) level
AUTORES: Singh, AK; O'Donnell, KP; Edwards, PR; Cameron, D; Lorenz, K; Kapper, MJ; Bockowski, M; Yamaga, M; Prakash, R;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 111, NÚMERO: 24
AUTORES: Singh, AK; O'Donnell, KP; Edwards, PR; Cameron, D; Lorenz, K; Kapper, MJ; Bockowski, M; Yamaga, M; Prakash, R;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 111, NÚMERO: 24
79
TÃTULO: Doping β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> with europium: influence of the implantation and annealing temperature Full Text
AUTORES: Peres, M; Lorenz, K; Alves, E; Nogales, E; Méndez, B; Biquard, X; Daudin, B; Víllora, EG; Shimamura, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 32
AUTORES: Peres, M; Lorenz, K; Alves, E; Nogales, E; Méndez, B; Biquard, X; Daudin, B; Víllora, EG; Shimamura, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 32
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TÃTULO: Luminescence of Eu<sup>3+</sup> in GaN(Mg, Eu): Transitions from the <sup>5</sup>D<inf>1</inf> level
AUTORES: Singh A.K.; O'Donnell K.P.; Edwards P.R.; Cameron D.; Lorenz K.; Kappers M.J.; Boćkowski M.; Yamaga M.; Prakash R.;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 111, NÚMERO: 24
AUTORES: Singh A.K.; O'Donnell K.P.; Edwards P.R.; Cameron D.; Lorenz K.; Kappers M.J.; Boćkowski M.; Yamaga M.; Prakash R.;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 111, NÚMERO: 24
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