Maria Celeste da Silva do Carmo
AuthID: R-000-AQ5
51
TÃTULO: Uniaxial stress study of the 1026-meV center in Si : Pt
AUTORES: Leitao, JP; Carmo, MC; Henry, MO; McGlynn, E;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 63, NÚMERO: 23
AUTORES: Leitao, JP; Carmo, MC; Henry, MO; McGlynn, E;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 63, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: 
WOS
WOS52
TÃTULO: Evaluation of the infrared absorption in nm-thick heavily boron-doped Si1-xGex layers on silicon Full Text
AUTORES: Cavaco, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Presting, H; Konig, U;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 3rd International Conference on Materials in Microelectronics in JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, VOLUME: 12, NÚMERO: 4-6
AUTORES: Cavaco, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Presting, H; Konig, U;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 3rd International Conference on Materials in Microelectronics in JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, VOLUME: 12, NÚMERO: 4-6
53
TÃTULO: Coherent amorphization of Ge/Si multilayers with ion beams Full Text
AUTORES: Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: E-MRS Spring Meeting on Materials Science with Ion Beams in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 178, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: E-MRS Spring Meeting on Materials Science with Ion Beams in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 178, NÚMERO: 1-4
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TÃTULO: Enhanced radiation hardness of InAs/GaAs quantum dot structures Full Text
AUTORES: Sobolev, NA; Cavaco, A; Carmo, MC; Grundmann, M; Heinrichsdorff, F; Bimberg, D;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2000) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 224, NÚMERO: 1
AUTORES: Sobolev, NA; Cavaco, A; Carmo, MC; Grundmann, M; Heinrichsdorff, F; Bimberg, D;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2000) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 224, NÚMERO: 1
55
TÃTULO: Enhanced radiation hardness of quantum dot lasers to high energy proton irradiation
AUTORES: Ribbat, C; Sellin, R; Grundmann, M; Bimberg, D; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: ELECTRONICS LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 3
AUTORES: Ribbat, C; Sellin, R; Grundmann, M; Bimberg, D; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: ELECTRONICS LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 3
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TÃTULO: AC conductivity of porous silicon from Monte Carlo simulations Full Text
AUTORES: Ventura, PJ; Costa, LC ; Carmo, MC; Roman, HE; Pavesi, L;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 1st International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology (PSST 98) in JOURNAL OF POROUS MATERIALS, VOLUME: 7, NÚMERO: 1-3
AUTORES: Ventura, PJ; Costa, LC ; Carmo, MC; Roman, HE; Pavesi, L;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 1st International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology (PSST 98) in JOURNAL OF POROUS MATERIALS, VOLUME: 7, NÚMERO: 1-3
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TÃTULO: Light emitting porous silicon diode based on a silicon/porous silicon heterojunction Full Text
AUTORES: Pavesi, L; Chierchia, R; Bellutti, P; Lui, A; Fuso, F; Labardi, M; Pardi, L; Sbrana, F; Allegrini, M; Trusso, S; Vasi, C; Ventura, PJ; Costa, LC ; Carmo, MC; Bisi, O;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 86, NÚMERO: 11
AUTORES: Pavesi, L; Chierchia, R; Bellutti, P; Lui, A; Fuso, F; Labardi, M; Pardi, L; Sbrana, F; Allegrini, M; Trusso, S; Vasi, C; Ventura, PJ; Costa, LC ; Carmo, MC; Bisi, O;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 86, NÚMERO: 11
58
TÃTULO: Porous silicon capping by CVD diamond Full Text
AUTORES: Fernandes, AJ; Ventura, PJ; Silva, RF ; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 2nd European Conference on Hard Coatings (ETCHC-2)/3rd Iberian Vacuum Meeting (3rd RIVA) in VACUUM, VOLUME: 52, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Fernandes, AJ; Ventura, PJ; Silva, RF ; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 2nd European Conference on Hard Coatings (ETCHC-2)/3rd Iberian Vacuum Meeting (3rd RIVA) in VACUUM, VOLUME: 52, NÚMERO: 1-2
59
TÃTULO: Stress study of 1.5 mu m emission in Si:Er and GaAs:Er Full Text
AUTORES: Leitao, JP ; Carmo, MC; Henry, MO;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 1996 International Conference on luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL 96) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 72-4
AUTORES: Leitao, JP ; Carmo, MC; Henry, MO;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 1996 International Conference on luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL 96) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 72-4
INDEXADO EM: 
Scopus WOS
Scopus WOS60
TÃTULO: Isoelectronic impurity acting as a trap in CdTe Full Text
AUTORES: Soares, MJ ; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 1996 International Conference on luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL 96) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 72-4
AUTORES: Soares, MJ ; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 1996 International Conference on luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL 96) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 72-4
