Nikolai Andreevitch Sobolev
AuthID: R-000-DJF
181
TÃTULO: Defects incorporating Ge atoms in irradiated Si : Ge Full Text
AUTORES: Sobolev, NA; Nazare, MH;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 273-4
AUTORES: Sobolev, NA; Nazare, MH;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 273-4
182
TÃTULO: New paramagnetic defects in synthetic diamonds grown using nickel catalyst Full Text
AUTORES: Neves, AJ ; Pereira, R ; Sobolev, NA; Nazare, MH; Gehlhoff, W; Naser, A; Kanda, H;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 273-4
AUTORES: Neves, AJ ; Pereira, R ; Sobolev, NA; Nazare, MH; Gehlhoff, W; Naser, A; Kanda, H;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 273-4
183
TÃTULO: Amorphous-crystalline transition in Si/Ge superlattice during ion implantation
AUTORES: Sobolev, NA; Kaiser, U; Khodos, II; Presting, H; Konig, U;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Conference on Applications of the Nuclear Physics Methods in Magnetism and Science of Materials in IZVESTIYA AKADEMII NAUK SERIYA FIZICHESKAYA, VOLUME: 63, NÚMERO: 7
AUTORES: Sobolev, NA; Kaiser, U; Khodos, II; Presting, H; Konig, U;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Conference on Applications of the Nuclear Physics Methods in Magnetism and Science of Materials in IZVESTIYA AKADEMII NAUK SERIYA FIZICHESKAYA, VOLUME: 63, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Amorphization mechanism of Si Ge superlattices upon ion implantation
AUTORES: Sobolev, NA; Kaiser, U; Khodos, II; Presting, H; Konig, U;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Symposium on Microstructural Processes in Irradiated Materials, at the 1998 Fall MRS Meeting in MICROSTRUCTURAL PROCESSES IN IRRADIATED MATERIALS, VOLUME: 540
AUTORES: Sobolev, NA; Kaiser, U; Khodos, II; Presting, H; Konig, U;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Symposium on Microstructural Processes in Irradiated Materials, at the 1998 Fall MRS Meeting in MICROSTRUCTURAL PROCESSES IN IRRADIATED MATERIALS, VOLUME: 540
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TÃTULO: Ion beam induced structural transformations in Si<inf>m</inf>Ge<inf>n</inf> superlattices
AUTORES: Sobolev N.A.; Gerster J.; Mauckner G.; Wolpert M.; Limmer W.; Thonke K.; Sauer R.; Presting H.; König U.;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 136-138
AUTORES: Sobolev N.A.; Gerster J.; Mauckner G.; Wolpert M.; Limmer W.; Thonke K.; Sauer R.; Presting H.; König U.;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 136-138
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TÃTULO: On the amorphization of the Si/Ge superlattices upon ion bombardment
AUTORES: Sobolev N.A.; Gartner K.; Kaiser U.; Konig U.; Presting H.; Weber B.; Wendler E.; Wesch W.;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 248-249
AUTORES: Sobolev N.A.; Gartner K.; Kaiser U.; Konig U.; Presting H.; Weber B.; Wendler E.; Wesch W.;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 248-249
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TÃTULO: Luminescence of copper-aluminum diselenide
AUTORES: Savchuk V.; Korzun B.; Sobolev N.; Makovetskaya L.;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Semiconductors, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
AUTORES: Savchuk V.; Korzun B.; Sobolev N.; Makovetskaya L.;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Semiconductors, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
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ORCID188
TÃTULO: Influence of electron irradiation and annealing on the photoluminescence of Si/Ge superlattices and Si/Ge quantum wells
AUTORES: Sobolev N.A.; Korshunov F.P.; Sauer R.; Thonke K.; König U.; Presting H.;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Journal of Crystal Growth, VOLUME: 167, NÚMERO: 3-4
AUTORES: Sobolev N.A.; Korshunov F.P.; Sauer R.; Thonke K.; König U.; Presting H.;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Journal of Crystal Growth, VOLUME: 167, NÚMERO: 3-4
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TÃTULO: Hydrogen effects on the electrical and optical properties of γ-irradiated n-type GaAs epilayers
AUTORES: Ulyashin A.; Yu A Bumai; Shlopak N.; Sobolev N.; Prokhorenko T.;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 108, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Ulyashin A.; Yu A Bumai; Shlopak N.; Sobolev N.; Prokhorenko T.;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 108, NÚMERO: 1-2
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ORCID190
TÃTULO: Influence of ianthanides on the defect-impurity composition of GaP epitaxial layers
AUTORES: Aleshin V.D.; Brinkevich D.I.; Vabishchevich S.A.; Sobolev N.A.;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Semiconductors, VOLUME: 30, NÚMERO: 5
AUTORES: Aleshin V.D.; Brinkevich D.I.; Vabishchevich S.A.; Sobolev N.A.;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Semiconductors, VOLUME: 30, NÚMERO: 5
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