Pedro Miguel Cândido Barquinha
AuthID: R-000-EY1
101
TÃTULO: A high-gain, high-speed parametric residue amplifier for SAR-assisted pipeline ADCs
AUTORES: Bahubalindruni, PG; Goes, J; Barquinha, P;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design, SMACD 2016 in 2016 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design, SMACD 2016
AUTORES: Bahubalindruni, PG; Goes, J; Barquinha, P;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design, SMACD 2016 in 2016 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design, SMACD 2016
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TÃTULO: Basic Analog and Digital Circuits with a-IGZO TFTs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD) in 2016 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYNTHESIS, MODELING, ANALYSIS AND SIMULATION METHODS AND APPLICATIONS TO CIRCUIT DESIGN (SMACD)
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD) in 2016 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYNTHESIS, MODELING, ANALYSIS AND SIMULATION METHODS AND APPLICATIONS TO CIRCUIT DESIGN (SMACD)
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TÃTULO: Validating silicon polytrodes with paired juxtacellular recordings: method and dataset
AUTORES: Joana P Neto; Gonalo Lopes; Joao Frazao; Joana Nogueira; Pedro Lacerda; Pedro Baiao; Arno Aarts; Alexandru Andrei; Silke Musa; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha; Adam R Kampff;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF NEUROPHYSIOLOGY, VOLUME: 116, NÚMERO: 2
AUTORES: Joana P Neto; Gonalo Lopes; Joao Frazao; Joana Nogueira; Pedro Lacerda; Pedro Baiao; Arno Aarts; Alexandru Andrei; Silke Musa; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha; Adam R Kampff;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF NEUROPHYSIOLOGY, VOLUME: 116, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Interpreting anomalies observed in oxide semiconductor TFTs under negative and positive bias stress Full Text
AUTORES: Jong Woo Jin; Arokia Nathan; Pedro Barquinha; Luis Pereira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Brian Cobb;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: AIP ADVANCES, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
AUTORES: Jong Woo Jin; Arokia Nathan; Pedro Barquinha; Luis Pereira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Brian Cobb;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: AIP ADVANCES, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Gap states in the electronic structure of SnO2 single crystals and amorphous SnOx thin films Full Text
AUTORES: Haeberle, J; Machulik, S; Janowitz, C; Manzke, R; Gaspar, D; Barquinha, P; Schmeisser, D;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 10
AUTORES: Haeberle, J; Machulik, S; Janowitz, C; Manzke, R; Gaspar, D; Barquinha, P; Schmeisser, D;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 10
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TÃTULO: Transistors: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation (Adv. Electron. Mater. 9/2016)
AUTORES: Grey, P; Pereira, L; Pereira, S; Barquinha, P; Cunha, I; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Advanced Electronic Materials, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
AUTORES: Grey, P; Pereira, L; Pereira, S; Barquinha, P; Cunha, I; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Advanced Electronic Materials, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
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TÃTULO: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
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TÃTULO: The 2016 oxide electronic materials and oxide interfaces roadmap Full Text
AUTORES: Lorenz, M; Rao, MSR; Venkatesan, T; Fortunato, E; Barquinha, P; Branquinho, R; Salgueiro, D; Martins, R; Carlos, E; Liu, A; Shan, FK; Grundmann, M; Boschker, H; Mukherjee, J; Priyadarshini, M; DasGupta, N; Rogers, DJ; Teherani, FH; Sandana, EV; Bove, P; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 43
AUTORES: Lorenz, M; Rao, MSR; Venkatesan, T; Fortunato, E; Barquinha, P; Branquinho, R; Salgueiro, D; Martins, R; Carlos, E; Liu, A; Shan, FK; Grundmann, M; Boschker, H; Mukherjee, J; Priyadarshini, M; DasGupta, N; Rogers, DJ; Teherani, FH; Sandana, EV; Bove, P; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 43
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TÃTULO: A compact model and direct parameters extraction techniques For amorphous gallium-indium-zinc-oxide thin film transistors Full Text
AUTORES: Moldovan, O; Castro Carranza, A; Cerdeira, A; Estrada, M; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E; Miljakovic, S; Iniguez, B;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SOLID-STATE ELECTRONICS, VOLUME: 126
AUTORES: Moldovan, O; Castro Carranza, A; Cerdeira, A; Estrada, M; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E; Miljakovic, S; Iniguez, B;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SOLID-STATE ELECTRONICS, VOLUME: 126
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TÃTULO: A spectroscopic comparison of IGZO thin films and the parent In2O3, Ga2O3, and ZnO single crystals
AUTORES: Haeberle, J; Brizzi, S; Gaspar, D; Barquinha, P; Galazka, Z; Schulz, D; Schmeisser, D;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: MATERIALS RESEARCH EXPRESS, VOLUME: 3, NÚMERO: 10
AUTORES: Haeberle, J; Brizzi, S; Gaspar, D; Barquinha, P; Galazka, Z; Schulz, D; Schmeisser, D;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: MATERIALS RESEARCH EXPRESS, VOLUME: 3, NÚMERO: 10
