Rodrigo Ferrao Paiva Martins
AuthID: R-000-FKV
201
TÃTULO: Novel Linear Analog-Adder Using a-IGZO TFTs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) in 2016 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), VOLUME: 2016-July
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) in 2016 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), VOLUME: 2016-July
202
TÃTULO: Basic Analog and Digital Circuits with a-IGZO TFTs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD) in 2016 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYNTHESIS, MODELING, ANALYSIS AND SIMULATION METHODS AND APPLICATIONS TO CIRCUIT DESIGN (SMACD)
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD) in 2016 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYNTHESIS, MODELING, ANALYSIS AND SIMULATION METHODS AND APPLICATIONS TO CIRCUIT DESIGN (SMACD)
203
TÃTULO: Influence of the Substrate on the Morphology of Self-Assembled Silver Nanoparticles by Rapid Thermal Annealing
AUTORES: Andreia Araujo; Manuel J Mendes; Tiago Mateus; Antonio Vicente; Daniela Nunes; Tomas Calmeiro; Elvira Fortunato; Hugo Aguas; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 120, NÚMERO: 32
AUTORES: Andreia Araujo; Manuel J Mendes; Tiago Mateus; Antonio Vicente; Daniela Nunes; Tomas Calmeiro; Elvira Fortunato; Hugo Aguas; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 120, NÚMERO: 32
INDEXADO EM: 
WOS
WOS204
TÃTULO: Interpreting anomalies observed in oxide semiconductor TFTs under negative and positive bias stress Full Text
AUTORES: Jong Woo Jin; Arokia Nathan; Pedro Barquinha; Luis Pereira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Brian Cobb;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: AIP ADVANCES, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
AUTORES: Jong Woo Jin; Arokia Nathan; Pedro Barquinha; Luis Pereira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Brian Cobb;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: AIP ADVANCES, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
205
TÃTULO: Transistors: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation (Adv. Electron. Mater. 9/2016)
AUTORES: Grey, P; Pereira, L; Pereira, S; Barquinha, P; Cunha, I; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Advanced Electronic Materials, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
AUTORES: Grey, P; Pereira, L; Pereira, S; Barquinha, P; Cunha, I; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Advanced Electronic Materials, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
206
TÃTULO: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
207
TÃTULO: Solution-Processed Alkaline Lithium Oxide Dielectrics for Applications in n- and p-Type Thin-Film Transistors
AUTORES: Liu, A; Liu, GX; Zhu, CD; Zhu, HH; Fortunato, E; Martins, R; Shan, FK;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
AUTORES: Liu, A; Liu, GX; Zhu, CD; Zhu, HH; Fortunato, E; Martins, R; Shan, FK;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
208
TÃTULO: High-mobility p-type NiOx thin-film transistors processed at low temperatures with Al2O3 high-k dielectric Full Text
AUTORES: Shan, FK; Liu, A; Zhu, HH; Kong, WJ; Liu, JQ; Shin, BC; Fortunato, E; Martins, R; Liu, GX;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 40
AUTORES: Shan, FK; Liu, A; Zhu, HH; Kong, WJ; Liu, JQ; Shin, BC; Fortunato, E; Martins, R; Liu, GX;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 40
209
TÃTULO: The 2016 oxide electronic materials and oxide interfaces roadmap Full Text
AUTORES: Lorenz, M; Rao, MSR; Venkatesan, T; Fortunato, E; Barquinha, P; Branquinho, R; Salgueiro, D; Martins, R; Carlos, E; Liu, A; Shan, FK; Grundmann, M; Boschker, H; Mukherjee, J; Priyadarshini, M; DasGupta, N; Rogers, DJ; Teherani, FH; Sandana, EV; Bove, P; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 43
AUTORES: Lorenz, M; Rao, MSR; Venkatesan, T; Fortunato, E; Barquinha, P; Branquinho, R; Salgueiro, D; Martins, R; Carlos, E; Liu, A; Shan, FK; Grundmann, M; Boschker, H; Mukherjee, J; Priyadarshini, M; DasGupta, N; Rogers, DJ; Teherani, FH; Sandana, EV; Bove, P; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 43
210
TÃTULO: A compact model and direct parameters extraction techniques For amorphous gallium-indium-zinc-oxide thin film transistors Full Text
AUTORES: Moldovan, O; Castro Carranza, A; Cerdeira, A; Estrada, M; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E; Miljakovic, S; Iniguez, B;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SOLID-STATE ELECTRONICS, VOLUME: 126
AUTORES: Moldovan, O; Castro Carranza, A; Cerdeira, A; Estrada, M; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E; Miljakovic, S; Iniguez, B;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SOLID-STATE ELECTRONICS, VOLUME: 126
