201
TÍTULO: Influence of the Substrate on the Morphology of Self-Assembled Silver Nanoparticles by Rapid Thermal Annealing
AUTORES: Araújo, A; Mendes, MJ; Mateus, T; Vicente, A; Nunes, D; Calmeiro, T; Fortunato, E; Águas, H; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 32
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202
TÍTULO: Novel Linear Analog-Adder Using a-IGZO TFTs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) in 2016 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), VOLUME: 2016-July
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203
TÍTULO: Basic Analog and Digital Circuits with a-IGZO TFTs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD) in 2016 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYNTHESIS, MODELING, ANALYSIS AND SIMULATION METHODS AND APPLICATIONS TO CIRCUIT DESIGN (SMACD)
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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205
TÍTULO: Interpreting anomalies observed in oxide semiconductor TFTs under negative and positive bias stress  Full Text
AUTORES: Jong Woo Jin; Arokia Nathan; Pedro Barquinha; Luis Pereira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Brian Cobb;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: AIP ADVANCES, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
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206
TÍTULO: Transistors: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation (Adv. Electron. Mater. 9/2016)
AUTORES: Grey, P; Pereira, L; Pereira, S; Barquinha, P; Cunha, I; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Advanced Electronic Materials, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
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207
TÍTULO: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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208
TÍTULO: Solution-Processed Alkaline Lithium Oxide Dielectrics for Applications in n- and p-Type Thin-Film Transistors
AUTORES: Liu, A; Liu, GX; Zhu, CD; Zhu, HH; Fortunato, E; Martins, R; Shan, FK;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 47
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209
TÍTULO: High-mobility p-type NiOx thin-film transistors processed at low temperatures with Al2O3 high-k dielectric  Full Text
AUTORES: Shan, FK; Liu, A; Zhu, HH; Kong, WJ; Liu, JQ; Shin, BC; Fortunato, E; Martins, R; Liu, GX;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 40
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 84
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210
TÍTULO: The 2016 oxide electronic materials and oxide interfaces roadmap  Full Text
AUTORES: Lorenz, M; Rao, MSR; Venkatesan, T; Fortunato, E; Barquinha, P; Branquinho, R; Salgueiro, D; Martins, R; Carlos, E; Liu, A; Shan, FK; Grundmann, M; Boschker, H; Mukherjee, J; Priyadarshini, M; DasGupta, N; Rogers, DJ; Teherani, FH; Sandana, EV; Bove, P; Rietwyk, K; Zaban, A; Veziridis, A; Weidenkaff, A; Muralidhar, M; Murakami, M; Abel, S; Fompeyrine, J; Zuniga Perez, J; Ramesh, R; Spaldin, NA; Ostanin, S; Borisov, V; Mertig, I; Lazenka, V; Srinivasan, G; Prellier, W; Uchida, M; Kawasaki, M; Pentcheva, R; Gegenwart, P; Granozio, FM; Fontcuberta, J; Pryds, N; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 43
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