Virginia Chu
AuthID: R-000-HJ2
181
TÃTULO: BREAKING THE ISOTROPY OF AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM ALLOYS - GRADED-BANDGAP AND SAWTOOTH SUPERLATTICE STRUCTURES Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: 13TH INTERNATIONAL CONF ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 114, NÚMERO: Pt2
AUTORES: CONDE, JP ; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: 13TH INTERNATIONAL CONF ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 114, NÚMERO: Pt2
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TÃTULO: ELECTRON-TRANSPORT IN A-SI-H,F/A-SI,GE-H,F SUPERLATTICES Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 6, NÚMERO: 1
AUTORES: CONDE, JP ; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 6, NÚMERO: 1
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TÃTULO: PHOTOCURRENT COLLECTION IN A SCHOTTKY-BARRIER ON AN AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM ALLOY STRUCTURE WITH 1.23 EV OPTICAL GAP Full Text
AUTORES: CHU, V; CONDE, JP ; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
AUTORES: CHU, V; CONDE, JP ; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
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TÃTULO: THE OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF A-SI,GE-H(F) ALLOYS Full Text
AUTORES: WAGNER, S; CHU, V; CONDE, JP ; LIU, JZ;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: 13TH INTERNATIONAL CONF ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 114, NÚMERO: PART 2
AUTORES: WAGNER, S; CHU, V; CONDE, JP ; LIU, JZ;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: 13TH INTERNATIONAL CONF ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 114, NÚMERO: PART 2
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TÃTULO: Bulk and surface properties of amorphous hydrogenated fluorinated silicon grown from SiF4 and H2
AUTORES: Maruyama, A; Shen Dashen, S; Virginia Chu; Liu, JZ; Campbell, I; Fauchet Phillipe, M; Sigurd Wagner;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: International Topical Conference on Hydrogenated Amorphous Silicon Devices and Technology in IEEE Transactions on Electron Devices, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
AUTORES: Maruyama, A; Shen Dashen, S; Virginia Chu; Liu, JZ; Campbell, I; Fauchet Phillipe, M; Sigurd Wagner;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: International Topical Conference on Hydrogenated Amorphous Silicon Devices and Technology in IEEE Transactions on Electron Devices, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
186
TÃTULO: Thermal relaxation of the electric conductivity in amorphous silicon-germanium alloys
AUTORES: Liu, JZ; Chu, V; Shen, DS; Slobodin, D; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Physical Review B, VOLUME: 40, NÚMERO: 9
AUTORES: Liu, JZ; Chu, V; Shen, DS; Slobodin, D; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Physical Review B, VOLUME: 40, NÚMERO: 9
187
TÃTULO: The optoelectronic properties of a-Si, Ge:H(F) alloys Full Text
AUTORES: Wagner, S; Chu, V; J.P Conde; J.Z Liu;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 114
AUTORES: Wagner, S; Chu, V; J.P Conde; J.Z Liu;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 114
188
TÃTULO: Breaking the isotropy of amorphous silicon-germanium alloys: Graded-bandgap and sawtooth superlattice structures Full Text
AUTORES: J.P Conde; Chu, V; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 114
AUTORES: J.P Conde; Chu, V; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 114
189
TÃTULO: Electron transport in superlattices Full Text
AUTORES: J.P Conde; D.S Shen; Chu, V; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Superlattices and Microstructures, VOLUME: 6, NÚMERO: 1
AUTORES: J.P Conde; D.S Shen; Chu, V; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Superlattices and Microstructures, VOLUME: 6, NÚMERO: 1
190
TÃTULO: Photocurrent collection in a Schottky barrier on an amorphous silicon-germanium alloy structure with 1.23 eV optical gap Full Text
AUTORES: Chu, V; Conde, JP; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
AUTORES: Chu, V; Conde, JP; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
