Radheshyam Rai
AuthID: R-000-NEM
121
TÃTULO: Structural and dielectric properties of Bi modified PLZT ceramics Full Text
AUTORES: Rai, R; Sharma, S; Choudhary, RNP;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Solid State Communications, VOLUME: 133, NÚMERO: 10
AUTORES: Rai, R; Sharma, S; Choudhary, RNP;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Solid State Communications, VOLUME: 133, NÚMERO: 10
122
TÃTULO: Dielectric and piezoelectric studies of Fe doped PLZT ceramics Full Text
AUTORES: Rai, R; Sharma, S; Choudhary, RNP;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Materials Letters, VOLUME: 59, NÚMERO: 29-30
AUTORES: Rai, R; Sharma, S; Choudhary, RNP;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Materials Letters, VOLUME: 59, NÚMERO: 29-30
123
TÃTULO: Microstructure modified HfO<sub>2</sub> using Zr addition with Ta<sub>x</sub>C<sub>y</sub> gate for improved device performance and reliability
AUTORES: Hegde, RI; Triyoso, DH; Tobin, PJ; Kalpat, S; Ramon, ME; Tseng, HH; Schaeffer, JK; Luckowski, E; Taylor, WJ; Capasso, CC; Gilmer, DC; Moosa, M; Haggag, A; Raymond, M; Roan, D; Nguyen, J; La, LB; Hebert, E; Cotton, R; Wang, XD; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2005, TECHNICAL DIGEST
AUTORES: Hegde, RI; Triyoso, DH; Tobin, PJ; Kalpat, S; Ramon, ME; Tseng, HH; Schaeffer, JK; Luckowski, E; Taylor, WJ; Capasso, CC; Gilmer, DC; Moosa, M; Haggag, A; Raymond, M; Roan, D; Nguyen, J; La, LB; Hebert, E; Cotton, R; Wang, XD; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2005, TECHNICAL DIGEST
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: 
ORCID
ORCID124
TÃTULO: Regulating crown and flatness during hot rolling: A multiobjective optimization study using genetic algorithms
AUTORES: Nandan, R; Rai, R; Jayakanth, R; Moitra, S; Chakraborti, N; Mukhopadhyay, A;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: MATERIALS AND MANUFACTURING PROCESSES, VOLUME: 20, NÚMERO: 3
AUTORES: Nandan, R; Rai, R; Jayakanth, R; Moitra, S; Chakraborti, N; Mukhopadhyay, A;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: MATERIALS AND MANUFACTURING PROCESSES, VOLUME: 20, NÚMERO: 3
125
TÃTULO: Urethrovasocutaneous fistula in a case of anterior urethral stricture
AUTORES: Singh, SK; Rai, RS; Sharma, SK;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: UROLOGIA INTERNATIONALIS, VOLUME: 74, NÚMERO: 1
AUTORES: Singh, SK; Rai, RS; Sharma, SK;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: UROLOGIA INTERNATIONALIS, VOLUME: 74, NÚMERO: 1
126
TÃTULO: Fluoroalkylated polysilane film as a chemosensor for explosive nitroaromatic compounds
AUTORES: Saxena, A; Fujiki, M; Rai, R; Kwak, G;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: CHEMISTRY OF MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 8
AUTORES: Saxena, A; Fujiki, M; Rai, R; Kwak, G;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: CHEMISTRY OF MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 8
127
TÃTULO: Structural and dielectric properties of (La, Bi) modified PZT ceramics Full Text
AUTORES: Rai, R; Sharma, S;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Solid State Communications, VOLUME: 129, NÚMERO: 5
AUTORES: Rai, R; Sharma, S;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Solid State Communications, VOLUME: 129, NÚMERO: 5
128
TÃTULO: Structural and dielectric properties of Sb-doped PLZT ceramics Full Text
AUTORES: Rai, R; Sharma, S;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 3rd Asian Meeting on Electroceramics in Ceramics International, VOLUME: 30, NÚMERO: 7
AUTORES: Rai, R; Sharma, S;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 3rd Asian Meeting on Electroceramics in Ceramics International, VOLUME: 30, NÚMERO: 7
129
TÃTULO: Phase transition in Pb based tellurite ceramics
AUTORES: Rai, R; Singh, MP; Singh, NK;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Indian Journal of Pure and Applied Physics, VOLUME: 42, NÚMERO: 2
AUTORES: Rai, R; Singh, MP; Singh, NK;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Indian Journal of Pure and Applied Physics, VOLUME: 42, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: 
Scopus
Scopus NO MEU: ORCID
ORCID130
TÃTULO: Fermi-level pinning at the polysilicon/metal oxide interface - Part I
AUTORES: Hobbs, CC; Fonseca, LRC; Knizhnik, A; Dhandapani, V; Samavedam, SB; Taylor, WJ; Grant, JM; Dip, LG; Triyoso, DH; Hegde, RI; Gilmer, DC; Garcia, R; Roan, D; Lovejoy, ML; Rai, RS; Hebert, EA; Tseng, HH; Anderson, SGH; White, BE; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOLUME: 51, NÚMERO: 6
AUTORES: Hobbs, CC; Fonseca, LRC; Knizhnik, A; Dhandapani, V; Samavedam, SB; Taylor, WJ; Grant, JM; Dip, LG; Triyoso, DH; Hegde, RI; Gilmer, DC; Garcia, R; Roan, D; Lovejoy, ML; Rai, RS; Hebert, EA; Tseng, HH; Anderson, SGH; White, BE; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOLUME: 51, NÚMERO: 6
