Radheshyam Rai
AuthID: R-000-NEM
181
TÃTULO: DISLOCATION-STRUCTURES IN IN-DOPED AND UNDOPED GAAS DEFORMED AT 700-1100-DEGREES-C
AUTORES: RAI, RS; GURUSWAMY, S; FABER, KT; HIRTH, JP;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: PHILOSOPHICAL MAGAZINE A-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STRUCTURE DEFECTS AND MECHANICAL PROPERTIES, VOLUME: 60, NÚMERO: 3
AUTORES: RAI, RS; GURUSWAMY, S; FABER, KT; HIRTH, JP;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: PHILOSOPHICAL MAGAZINE A-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STRUCTURE DEFECTS AND MECHANICAL PROPERTIES, VOLUME: 60, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: 
ORCID
ORCID182
TÃTULO: Dislocation structures in In-doped and undoped GaAs deformed at 700-1100°C
AUTORES: Rai, RS; Guruswamy, S; Faber, KT; Hirth, JP;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Philosophical Magazine A, VOLUME: 60, NÚMERO: 3
AUTORES: Rai, RS; Guruswamy, S; Faber, KT; Hirth, JP;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Philosophical Magazine A, VOLUME: 60, NÚMERO: 3
183
TÃTULO: CRYSTALLIZATION BEHAVIOR OF A GLASS IN THE Y2O3-SIO2-ALN SYSTEM
AUTORES: DINGER, TR; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 71, NÚMERO: 4
AUTORES: DINGER, TR; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 71, NÚMERO: 4
184
TÃTULO: EFFECT OF LEAD ACETATE IN THE PREPARATION OF THE LINDLAR CATALYST
AUTORES: ULAN, JG; KUO, E; MAIER, WF; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF ORGANIC CHEMISTRY, VOLUME: 52, NÚMERO: 14
AUTORES: ULAN, JG; KUO, E; MAIER, WF; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF ORGANIC CHEMISTRY, VOLUME: 52, NÚMERO: 14
185
TÃTULO: DEFORMATION-BEHAVIOR OF UNDOPED AND IN-DOPED GAAS IN THE TEMPERATURE-RANGE 700-100-DEGREES-C
AUTORES: GURUSWAMY, S; RAI, RS; FABER, KT; HIRTH, JP;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 62, NÚMERO: 10
AUTORES: GURUSWAMY, S; RAI, RS; FABER, KT; HIRTH, JP;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 62, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID186
TÃTULO: Deformation behavior of undoped and In-doped GaAs in the temperature range 700–1100 °C
AUTORES: Guruswamy, S; Rai, RS; Faber, KT; Hirth, JP;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 62, NÚMERO: 10
AUTORES: Guruswamy, S; Rai, RS; Faber, KT; Hirth, JP;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 62, NÚMERO: 10
187
TÃTULO: LATTICE IMAGING STUDIES ON STRUCTURE AND DISORDER IN SIC POLYTYPES .1.
AUTORES: RAI, RS; SINGH, SR; DUBEY, M; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1986, FONTE: BULLETIN DE MINERALOGIE, VOLUME: 109, NÚMERO: 5
AUTORES: RAI, RS; SINGH, SR; DUBEY, M; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1986, FONTE: BULLETIN DE MINERALOGIE, VOLUME: 109, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID188
TÃTULO: METAMORPHOSIS OF PALLADIUM AND ITS RELATION TO SELECTIVITY IN THE ROSENMUND REACTION
AUTORES: MAIER, WF; CHETTLE, SJ; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1986, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, VOLUME: 108, NÚMERO: 10
AUTORES: MAIER, WF; CHETTLE, SJ; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1986, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, VOLUME: 108, NÚMERO: 10
189
TÃTULO: LATTICE IMAGING STUDIES ON 201R POLYTYPE OF SILICON-CARBIDE
AUTORES: RAI, RS; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, VOLUME: 3, NÚMERO: 6
AUTORES: RAI, RS; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, VOLUME: 3, NÚMERO: 6
190
TÃTULO: HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPIC STUDIES ON A NEW POLYTYPE OF SIC AND ITS INTERGROWTH STRUCTURES
AUTORES: RAI, RS; KORGUL, P; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION B-STRUCTURAL SCIENCE, VOLUME: 40, NÚMERO: APR
AUTORES: RAI, RS; KORGUL, P; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION B-STRUCTURAL SCIENCE, VOLUME: 40, NÚMERO: APR
