41
TÍTULO: Stability in single longitudinal mode operation in DFB laser structures
AUTORES: Fernandes, CAF;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 12th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON 2004) in MELECON 2004: PROCEEDINGS OF THE 12TH IEEE MEDITERRANEAN ELECTROTECHNICAL CONFERENCE, VOLS 1-3
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42
TÍTULO: <title>Hole-burning effects in conventional and modified distributed feedback laser structures</title>
AUTORES: Carlos F Fernandes;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Physics and Simulation of Optoelectronic Devices X
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NO MEU: ORCID
43
TÍTULO: Impact of structural changes in the corrugation on the DFB laser characteristics  Full Text
AUTORES: Fernandes, CF;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, VOLUME: 25, NÚMERO: 5
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44
TÍTULO: Hole-burning effects on the mode spectrum of distributed feedback lasers
AUTORES: Fernandes, CF;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, VOLUME: 13, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS
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45
TÍTULO: Mode spectrum and threshold gain calculations in DFB lasers
AUTORES: Fernandes, CF;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
46
TÍTULO: On the performance of MQW-DFB InGaAsP lasers in the near-threshold regime
AUTORES: Fernandes, CF;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
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47
TÍTULO: Large signal transient response of long-wavelength injection lasers
AUTORES: Pereira, JT; Ribeiro, AL ; Fernandes, CF; Serra, AC ;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 8th Mediterranean Electrotechnical Conference on Industrial Applications in Power Systems, Computer Science and Telecommunications (Melecon 96) in MELECON '96 - 8TH MEDITERRANEAN ELECTROTECHNICAL CONFERENCE, PROCEEDINGS, VOLS I-III: INDUSTRIAL APPLICATIONS IN POWER SYSTEMS, COMPUTER SCIENCE AND TELECOMMUNICATIONS, VOLUME: 2
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48
TÍTULO: NUMERICAL SIMULATION OF THE DYNAMICS OF FIELD IMPOVERISHMENT MODES.
AUTORES: Fernandes, CF; Abreu Santos, H;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: IEE Proceedings I: Solid State and Electron Devices, VOLUME: 134, NÚMERO: 5
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