Ivan Larkin
AuthID: R-000-Z8R
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TÃTULO: SINGLE-ELECTRON CHARGING AT TEMPERATURES ABOVE 4 K IN ULTRASMALL LATERAL QUANTUM DOTS PATTERNED ON SHALLOW GAAS/ALGAAS HETEROSTRUCTURES Full Text
AUTORES: BORSOSFOLDI, Z; RAHMAN, M; LARKIN, IA; LONG, AR; DAVIES, JH; WEAVER, JMR; HOLLAND, MC; WILLIAMSON, JG;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 66, NÚMERO: 26
AUTORES: BORSOSFOLDI, Z; RAHMAN, M; LARKIN, IA; LONG, AR; DAVIES, JH; WEAVER, JMR; HOLLAND, MC; WILLIAMSON, JG;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 66, NÚMERO: 26
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ResearcherID62
TÃTULO: EDGE OF THE 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN A GATED HETEROSTRUCTURE
AUTORES: LARKIN, IA; DAVIES, JH;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 52, NÚMERO: 8
AUTORES: LARKIN, IA; DAVIES, JH;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 52, NÚMERO: 8
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ResearcherID63
TÃTULO: ELECTRON-TUNNELING IN HETEROSTRUCTURES WITH A SINGLE BARRIER AND SYMMETRICAL SPACERS IN A LONGITUDINAL MAGNETIC-FIELD
AUTORES: ANDERSON, TG; DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; KHANIN, YN;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: SEMICONDUCTORS, VOLUME: 29, NÚMERO: 9
AUTORES: ANDERSON, TG; DUBROVSKII, YV; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; KHANIN, YN;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: SEMICONDUCTORS, VOLUME: 29, NÚMERO: 9
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ResearcherID64
TÃTULO: Single electron charging at temperatures above 4 K in ultrasmall lateral quantum dots patterned on shallow GaAs/AlGaAs heterostructures Full Text
AUTORES: Borsosfoldi, Z; Rahman, M; Larkin, IA; Long, AR; Davies, JH; Weaver, JMR; Holland, MC; Williamson, JG;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 66, NÚMERO: 26
AUTORES: Borsosfoldi, Z; Rahman, M; Larkin, IA; Long, AR; Davies, JH; Weaver, JMR; Holland, MC; Williamson, JG;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 66, NÚMERO: 26
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TÃTULO: Modeling the patterned two-dimensional electron gas: Electrostatics Full Text
AUTORES: John H Davies; Ivan A Larkin; Sukhorukov, EV;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 77, NÚMERO: 9
AUTORES: John H Davies; Ivan A Larkin; Sukhorukov, EV;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 77, NÚMERO: 9
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TÃTULO: Edge of the two-dimensional electron gas in a gated heterostructure
AUTORES: Ivan A Larkin; John H Davies;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Phys. Rev. B - Physical Review B, VOLUME: 52, NÚMERO: 8
AUTORES: Ivan A Larkin; John H Davies;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Phys. Rev. B - Physical Review B, VOLUME: 52, NÚMERO: 8
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TÃTULO: METHOD TO INVESTIGATE THE RANDOM POTENTIAL IN A QUANTUM POINT-CONTACT
AUTORES: LARKIN, IA; SUKHORUKOV, EV;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 49, NÚMERO: 8
AUTORES: LARKIN, IA; SUKHORUKOV, EV;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 49, NÚMERO: 8
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ResearcherID68
TÃTULO: THEORY OF POTENTIAL MODULATION IN LATERAL SURFACE SUPERLATTICES
AUTORES: DAVIES, JH; LARKIN, IA;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 49, NÚMERO: 7
AUTORES: DAVIES, JH; LARKIN, IA;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 49, NÚMERO: 7
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ResearcherID69
TÃTULO: ANHARMONIC PERIODIC MODULATION IN LATERAL SURFACE SUPERLATTICES Full Text
AUTORES: CUSCO, R; HOLLAND, MC; DAVIES, JH; LARKIN, IA; SKURAS, E; LONG, AR; BEAUMONT, SP;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: 10th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-10) in SURFACE SCIENCE, VOLUME: 305, NÚMERO: 1-3
AUTORES: CUSCO, R; HOLLAND, MC; DAVIES, JH; LARKIN, IA; SKURAS, E; LONG, AR; BEAUMONT, SP;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: 10th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-10) in SURFACE SCIENCE, VOLUME: 305, NÚMERO: 1-3
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TÃTULO: ELECTRON-TUNNELING THROUGH SINGLE-BARRIER HETEROSTRUCTURES IN A MAGNETIC-FIELD
AUTORES: DUBROVSKII, YV; KHANIN, YN; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; ANDERSSON, TG; SODERSTROM, JR;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 50, NÚMERO: 7
AUTORES: DUBROVSKII, YV; KHANIN, YN; LARKIN, IA; MOROZOV, SV; ANDERSSON, TG; SODERSTROM, JR;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 50, NÚMERO: 7
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