Eduardo Jorge da Costa Alves
AuthID: R-000-4EK
331
TÃTULO: Ion Beam Analysis of Ge/Si Dots Grown on Ultrathin SiO<sub>2</sub> Interlayers
AUTORES: Alexandra Fonseca; Eduardo Alves; Joaquim P Leitão; Nikolai A Sobolev; Celeste C Carmo; Alexander I Nikiforov;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 514-516
AUTORES: Alexandra Fonseca; Eduardo Alves; Joaquim P Leitão; Nikolai A Sobolev; Celeste C Carmo; Alexander I Nikiforov;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 514-516
332
TÃTULO: Microstructural characterization of Eurofer-ODS RAFM steel in the normalized and tempered condition and after thermal aging in simulated fusion conditions Full Text
AUTORES: Paúl, A; Alves, E; L.C Alves; Marques, C; Lindau, R; J.A Odriozola;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Fusion Engineering and Design, VOLUME: 75-79
AUTORES: Paúl, A; Alves, E; L.C Alves; Marques, C; Lindau, R; J.A Odriozola;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Fusion Engineering and Design, VOLUME: 75-79
333
TÃTULO: Electrical conductivity of as-grown and oxidized MgO:Li crystals implanted with Li ions Full Text
AUTORES: Tardı́o, M; Ramı́rez, R; González, R; J.V Pinto; R.C da Silva; Alves, E; Chen, Y;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 218
AUTORES: Tardı́o, M; Ramı́rez, R; González, R; J.V Pinto; R.C da Silva; Alves, E; Chen, Y;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 218
334
TÃTULO: Erratum to “Optical absorption of a Li-related impurity in ZnO” Full Text
AUTORES: Deirdre Mc Cabe; Karl Johnston; Martin O. Henry; Enda Mc Glynn; Eduardo Alves; John Davies, J;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 351, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Deirdre Mc Cabe; Karl Johnston; Martin O. Henry; Enda Mc Glynn; Eduardo Alves; John Davies, J;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 351, NÚMERO: 1-2
335
TÃTULO: Structural characterisation of SiC/SiCf composites exposed to chemical interaction with Be at high temperature Full Text
AUTORES: Paúl, A; L.C Alves; Alves, E; Riccardi, B;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Fusion Engineering and Design, VOLUME: 69, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Paúl, A; L.C Alves; Alves, E; Riccardi, B;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Fusion Engineering and Design, VOLUME: 69, NÚMERO: 1-4
336
TÃTULO: Nanoindentation on MgO crystals implanted with lithium ions Full Text
AUTORES: Cáceres, D; Vergara, I; González, R; Chen, Y; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 191, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Cáceres, D; Vergara, I; González, R; Chen, Y; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 191, NÚMERO: 1-4
337
TÃTULO: Electrical conductivity of MgO crystals implanted with lithium ions Full Text
AUTORES: Tardı́o, M; Ramı́rez, R; González, R; Chen, Y; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 191, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Tardı́o, M; Ramı́rez, R; González, R; Chen, Y; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 191, NÚMERO: 1-4
338
TÃTULO: Erratum: “Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers” [Appl. Phys. Lett. 79, 1432 (2001)] Full Text
AUTORES: Pereira, S; Correia, MR; Pereira, E; O’Donnell, KP; Alves, E; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
AUTORES: Pereira, S; Correia, MR; Pereira, E; O’Donnell, KP; Alves, E; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
339
TÃTULO: Preparation and study of U/Co multilayers
AUTORES: Diego, M; Rosa, MA; Lopes, EB; Alves, E; Sequeira, AD; Barradas, NP; Godinho, M; Almeida, M; Gonçalves, AP;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Journal of Nuclear Science and Technology, VOLUME: 39, NÚMERO: sup3
AUTORES: Diego, M; Rosa, MA; Lopes, EB; Alves, E; Sequeira, AD; Barradas, NP; Godinho, M; Almeida, M; Gonçalves, AP;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Journal of Nuclear Science and Technology, VOLUME: 39, NÚMERO: sup3
340
TÃTULO: Depth Resolved Studies of Indium Content and Strain in InGaN Layers Full Text
AUTORES: Pereira, S; M.R Correia; Pereira, E; K.P O'Donnell; Trager-Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E; A.D Sequeira; Franco, N; I.M Watson;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: physica status solidi (b) - phys. stat. sol. (b), VOLUME: 228, NÚMERO: 1
AUTORES: Pereira, S; M.R Correia; Pereira, E; K.P O'Donnell; Trager-Cowan, C; Sweeney, F; Alves, E; A.D Sequeira; Franco, N; I.M Watson;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: physica status solidi (b) - phys. stat. sol. (b), VOLUME: 228, NÚMERO: 1
