Naian A. Liu
AuthID: R-00F-M55
11
TÃTULO: A water-induced high-k yttrium oxide dielectric for fully-solution-processed oxide thin-film transistors Full Text
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; You Meng; Huijun J Song; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai Shan;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: CURRENT APPLIED PHYSICS, VOLUME: 15
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; You Meng; Huijun J Song; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai Shan;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: CURRENT APPLIED PHYSICS, VOLUME: 15
12
TÃTULO: Eco-friendly water-induced aluminum oxide dielectrics and their application in a hybrid metal oxide/polymer TFT
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul C Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 5, NÚMERO: 105
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul C Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 5, NÚMERO: 105
13
TÃTULO: Fully Solution-Processed Low-Voltage Aqueous In2O3 Thin-Film Transistors Using an Ultrathin ZrOx Dielectric
AUTORES: Ao Liu; Guo Xia Liu; Hui Hui Zhu; Feng Xu; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fu Kai Shan;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, VOLUME: 6, NÚMERO: 20
AUTORES: Ao Liu; Guo Xia Liu; Hui Hui Zhu; Feng Xu; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fu Kai Shan;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, VOLUME: 6, NÚMERO: 20
