Claude Lucien Joseph Boemare
AuthID: R-001-Y81
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TÃTULO: Green and red emission in Ca implanted GaN samples Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Alves, E ; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Alves, E ; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
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TÃTULO: Photoluminescence studies in ZnO samples Full Text
AUTORES: Boemare, C; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Guilherme, JG; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
AUTORES: Boemare, C; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Guilherme, JG; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
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TÃTULO: Optical studies in ZnSe/GaAs epilayers: Fabry-Perot modes in the upper branch of the polariton Full Text
AUTORES: Boemare, C; Gil, B; Assuncao, M; Nazare, MH;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 7th International Conference on II-VI Compounds and Devices in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 159, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Boemare, C; Gil, B; Assuncao, M; Nazare, MH;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 7th International Conference on II-VI Compounds and Devices in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 159, NÚMERO: 1-4
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TÃTULO: OBSERVATION OF FABRY-PEROT MODES IN THE UPPER BRANCH OF THE POLARITON IN ZNSE-GAAS EPILAYERS
AUTORES: BOEMARE, C; GIL, B; ASSUNCAO, M; SOLLNER, J; TAUDT, W; HEUKEN, M; NAZARE, MH;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 51, NÚMERO: 12
AUTORES: BOEMARE, C; GIL, B; ASSUNCAO, M; SOLLNER, J; TAUDT, W; HEUKEN, M; NAZARE, MH;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 51, NÚMERO: 12
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TÃTULO: Photoreflectance, reflectivity and photoluminescence of MOVPE grown ZnSe/GaAs epilayers and ZnSeS/ZnSe superlattices
AUTORES: Boemare, C; Nazare, MH; Taudt, W; Sollner, J; Heuken, M;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: 18th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-18) in ICDS-18 - PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-4, VOLUME: 196-, NÚMERO: pt 1
AUTORES: Boemare, C; Nazare, MH; Taudt, W; Sollner, J; Heuken, M;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: 18th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-18) in ICDS-18 - PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-4, VOLUME: 196-, NÚMERO: pt 1
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TÃTULO: High resolution photoluminescence studies of acceptor bound excitons in CDS/CDTE heterostructure under magnetic field. Full Text
AUTORES: M.H Nazare; Claude Boemare; Assunção, M;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Solid State Communications, VOLUME: 90, NÚMERO: 10
AUTORES: M.H Nazare; Claude Boemare; Assunção, M;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Solid State Communications, VOLUME: 90, NÚMERO: 10
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TÃTULO: OPTICAL-TRANSITIONS ON CDS CDTE CVD HETEROSTRUCTURES
AUTORES: BOEMARE, C; NAZARE, MH;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: SYMP ON WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS, AT THE 1991 FALL MEETING OF THE MATERIALS RESEARCH SOC in WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS, VOLUME: 242
AUTORES: BOEMARE, C; NAZARE, MH;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: SYMP ON WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS, AT THE 1991 FALL MEETING OF THE MATERIALS RESEARCH SOC in WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS, VOLUME: 242
INDEXADO EM: WOS