Chevrier
AuthID: R-002-XQA
11
TÃTULO: Periodic X-ray standing waves in quasiperiodic systems
AUTORES: Schmithusen, F; Cappello, G; Chevrier, J;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APERIODIC Conference in Ferroelectrics, VOLUME: 250, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Schmithusen, F; Cappello, G; Chevrier, J;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APERIODIC Conference in Ferroelectrics, VOLUME: 250, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
12
TÃTULO: Composition and chemical bonding of pulsed laser deposited carbon nitride thin films
AUTORES: Riedo, E; Comin, F; Chevrier, J; Bonnot, AM;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 88, NÚMERO: 7
AUTORES: Riedo, E; Comin, F; Chevrier, J; Bonnot, AM;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 88, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
13
TÃTULO: Study of the response of the fivefold i-AlPdMn surface to different temperature treatments Full Text
AUTORES: Schmithusen, F; Cappello, G; De Boissieu, M; Boudard, M; Comin, F; Chevrier, J;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Surface Science, VOLUME: 444, NÚMERO: 1
AUTORES: Schmithusen, F; Cappello, G; De Boissieu, M; Boudard, M; Comin, F; Chevrier, J;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Surface Science, VOLUME: 444, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus
14
TÃTULO: Electron energy loss spectroscopy investigation of volume and surface plasmons at the Al-Pd-Mn fivefold surface Full Text
AUTORES: Schmithusen, F; De Boissieu, M; Boudard, M; Chevrier, J; Comin, F;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Materials Science and Engineering A, VOLUME: 294-296
AUTORES: Schmithusen, F; De Boissieu, M; Boudard, M; Chevrier, J; Comin, F;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Materials Science and Engineering A, VOLUME: 294-296
INDEXADO EM: Scopus
15
TÃTULO: Characterization and properties of the AlPdMn 5 surface
AUTORES: Cappello, G; Dechelette, A; Schmithusen, F; Chevrier, J; Comin, F; Stierle, A; Formoso, V; De Boissieu, M; Lograsso, T; Jenks, C; Delaney, D;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Proceedings of the 1998 MRS Fall Meeting - The Symposium 'Advanced Catalytic Materials-1998' in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 553
AUTORES: Cappello, G; Dechelette, A; Schmithusen, F; Chevrier, J; Comin, F; Stierle, A; Formoso, V; De Boissieu, M; Lograsso, T; Jenks, C; Delaney, D;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Proceedings of the 1998 MRS Fall Meeting - The Symposium 'Advanced Catalytic Materials-1998' in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 553
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
16
TÃTULO: Combined X-ray and STM study of the oxygen-induced restructuring of the Au(111) surface
AUTORES: Ortega, L; Huang, L; Chevrier, J; Zeppenfeld, P; Gay, JM; Rieutord, F; Comsa, G;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Surface Review and Letters, VOLUME: 4, NÚMERO: 6
AUTORES: Ortega, L; Huang, L; Chevrier, J; Zeppenfeld, P; Gay, JM; Rieutord, F; Comsa, G;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: Surface Review and Letters, VOLUME: 4, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
17
TÃTULO: Characterization by scanning tunneling microscopy of the oxygen induced restructuring of Au(111) Full Text
AUTORES: Chevrier, J; Huang, L; Zeppenfeld, P; Comsa, G;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Surface Science, VOLUME: 355, NÚMERO: 1-3
AUTORES: Chevrier, J; Huang, L; Zeppenfeld, P; Comsa, G;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Surface Science, VOLUME: 355, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
18
TÃTULO: Gallium-mediated homoepitaxial growth of silicon at low temperatures
AUTORES: Gallas, B; Berbezier, I; Chevrier, J; Derrien, J;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 54, NÚMERO: 7
AUTORES: Gallas, B; Berbezier, I; Chevrier, J; Derrien, J;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 54, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
19
TÃTULO: High-resolution electron microscopy study of αFeSi2 heteroepitaxy on Si(111) Full Text
AUTORES: Berbezier, I; Chevrier, J; Derrien, J;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Surface Science, VOLUME: 315, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Berbezier, I; Chevrier, J; Derrien, J;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Surface Science, VOLUME: 315, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
20
TÃTULO: Influence of kinetic roughening on the epitaxial growth of silicon
AUTORES: Chevrier, J; Cruz, A; Pinto, N; Berbezier, I; Derrien, J;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Journal de physique. III, VOLUME: 4, NÚMERO: 9
AUTORES: Chevrier, J; Cruz, A; Pinto, N; Berbezier, I; Derrien, J;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Journal de physique. III, VOLUME: 4, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID