Toggle navigation
Publicações
Investigadores
Instituições
0
Entrar
Autenticação Federada
(Clique na imagem)
Autenticação local
Recuperar Palavra-passe
Registar
Entrar
Publicações
Pesquisar
Estatísticas
Compatibility of Silicon Gates with Hafnium-Based Gate Dielectrics
AuthID
P-014-YYM
19
Author(s)
Gilmer, DC
·
Hegde, R
·
Cotton, R
·
Smith, J
·
Dip, L
·
Garcia, R
·
Dhandapani, V
·
Triyoso, D
·
Roan, D
·
Franke, A
·
Rai, R
·
Prabhu, L
·
Hobbs, C
·
Grant, JM
·
La, L
·
Samavedam, S
·
Taylor, B
·
Tseng, H
·
Tobin, P
Tipo de Documento
Proceedings Paper
Year published
2003
Publicado
in
MICROELECTRONIC ENGINEERING,
ISSN: 0167-9317
Volume: 69, Número: 2-4, Páginas: 138-144 (7)
Indexing
Wos
®
Crossref
®
22
Google Scholar
®
Metadata
Fontes
Publication Identifiers
DOI
:
10.1016/s0167-9317(03)00290-9
Wos
: WOS:000185725300005
Source Identifiers
ISSN
: 0167-9317
Export Publication Metadata
Exportar
×
Publication Export Settings
BibTex
EndNote
APA
Export Preview
Lista
Marked
Adicionar à lista
Marked
Info
At this moment we don't have any links to full text documens.
×
Selecione a Fonte
Esta publicação tem:
2 registos no
ISI
2 registos no
SCOPUS
2 registos no
DBLP
2 registos no
Unpaywall
2 registos no
Openlibrary
2 registos no
Handle
Por favor selecione o registo que deve ser utilizado pelo Authenticus.
×
Comparar Publicações
© 2024 CRACS & Inesc TEC - All Rights Reserved
Política de Privacidade
|
Terms of Service