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Depth Resolved Studies of Indium Content and Strain in Ingan Layers
AuthID
P-000-SYW
10
Author(s)
Pereira, S
·
Correia, MR
·
Pereira, E
·
O'Donnell, KP
·
Trager Cowan, C
·
Sweeney, F
·
Alves, E
·
Sequeira, AD
·
Franco, N
·
Watson, IM
Tipo de Documento
Article
Year published
2001
Publicado
in
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH,
ISSN: 0370-1972
Volume: 228, Número: 1, Páginas: 59-64 (6)
Conference
4Th International Conference on Nitride Semiconductors (Icns-4),
Date:
JUL 16-20, 2001,
Location:
DENVER, COLORADO
Indexing
Wos
®
Scopus
®
Crossref
®
3
Google Scholar
®
Metadata
Fontes
Publication Identifiers
DOI
:
10.1002/1521-3951(200111)228:1<59::aid-pssb59>3.0.co;2-a
SCOPUS
: 2-s2.0-18044387855
Wos
: WOS:000172513100015
Source Identifiers
ISSN
: 0370-1972
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