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Dangling-Bond States in A-Si,Ge:h,F Measured by Temperature-Dependent Μτ
AuthID
P-008-XN6
8
Author(s)
Shen, DS
·
Conde, JP
·
Chu, V
·
Liu, JZ
·
Maruyama, A
·
Aljishi, S
·
Smith, ZE
·
Wagner, S
1
Editor(es)
Anon
Tipo de Documento
Proceedings Paper
Year published
1988
Publicado
in
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference,
ISSN: 0160-8371
Volume: 1, Páginas: 135-138
Conference
Twentieth Ieee Photovoltaic Specialists Conference - 1988,
Date:
26 September 1988 through 30 September 1988,
Location:
Las Vegas, NV, USA
Indexing
Scopus
®
Metadata
Fontes
Publication Identifiers
SCOPUS
: 2-s2.0-0024187560
Source Identifiers
ISSN
: 0160-8371
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