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A Microkinetic Model for Doping of Silicon Layers During Molecular-Beam Epitaxy
AuthID
P-009-2K0
3
Author(s)
Vasilevskiy, MI
·
Andreev, AY
·
Kuznetsov, VP
Tipo de Documento
Article
Year published
1993
Publicado
in
Surface Science,
ISSN: 0039-6028
Volume: 297, Número: 2, Páginas: 151-161
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Metadata
Fontes
Publication Identifiers
DOI
:
10.1016/0039-6028(93)90258-l
SCOPUS
: 2-s2.0-0027697682
Source Identifiers
ISSN
: 0039-6028
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