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Phosphorus Doping of Si Nanocrystals: Interface Defects and Charge Compensation
AuthID
P-00F-KDN
6
Author(s)
Stegner, AR
·
Pereira, RN
·
Klein, K
·
Wiggers, H
·
Brandt, MS
·
Stutzmann, M
Tipo de Documento
Article
Year published
2007
Publicado
in
PHYSICA B-CONDENSED MATTER,
ISSN: 0921-4526
Volume: 401, Páginas: 541-545 (5)
Conference
24Th International Conference on Defects in Semiconductors,
Date:
JUL 22-27, 2007,
Location:
Albuquerque, NM
Indexing
Wos
®
Scopus
®
Crossref
®
22
Google Scholar
®
Metadata
Fontes
Publication Identifiers
DOI
:
10.1016/j.physb.2007.09.017
SCOPUS
: 2-s2.0-36048967904
Wos
: WOS:000252041000128
Source Identifiers
ISSN
: 0921-4526
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