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Shallow Excited-States Of The 1014-Mev Cu Related Optical-Center In Silicon
AuthID
P-00P-3G2
5
Author(s)
NAZARE, MH
·
DUARTE, AJ
·
STEELE, AG
·
DAVIES, G
·
LIGHTOWLERS, EC
3
Editor(es)
Davies, G; Deleo, GG; Stavola, M
Tipo de Documento
Proceedings Paper
Year published
1992
Publicado
in
PROCEEDINGS OF THE 16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-3
in
Materials Science Forum,
ISSN: 0255-5476
Volume: 83, Páginas: 191-196 (6)
Conference
16Th International Conf On Defects In Semiconductors ( Icds-16 ),
Date:
JUL 22-26, 1991,
Location:
LEHIGH UNIV, BETHLEHEM, PA,
Patrocinadores:
USAF, OFF SCI RES, BANDGAP TECHNOL, DEF ADV RES PROJECTS AGCY, EASTMAN KODAK, FORD MOTOR, FUJITSU LABS, IBM, KAWASAKI STEEL, LEHIGH UNIV, MOBIL SOLAR ENERGY,
Host:
LEHIGH UNIV
Indexing
Wos
®
Google Scholar
®
Metadata
Fontes
Publication Identifiers
DOI
:
10.4028/www.scientific.net/msf.83-87.191
Wos
: WOS:A1992BW69F00031
Source Identifiers
ISSN
: 0255-5476
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