Ana Maria Heleno Branquinho de Amaral


AuthID: R-000-15S

Publicações Confirmadas: 51



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TÍTULO: InOx semiconductor films deposited on glass substrates for transparent electronics  Full Text
AUTORES: Nunes N de Carvalho ; Lavareda, G ; Amaral, A ; Conde, O ; Ramos, AR ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 1st Conference on Advances in Optical Materials (AIOM) in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 23-25
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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22
TÍTULO: Transparent thin film transistors based on indium oxide semiconductor  Full Text
AUTORES: Lavareda, G ; Nunes N de Carvalho ; Fortunato, E ; Ramos, AR ; Alves, E ; Conde, O ; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 1st Conference on Advances in Optical Materials (AIOM) in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 23-25
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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23
TÍTULO: ITO films with enhanced electrical properties deposited on unheated ZnO-coated polymer substrates  Full Text
AUTORES: de Carvalho, CN ; Lavareda, G ; Fortunato, E ; Alves, H; Goncalves, A; Varela, J; Nascimento, R; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium on Functional Oxides for Advanced Semiconductor Technologies in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 118, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: ITO properties on anisotropic flexible transparent cellulosic substrates under different stress conditions  Full Text
AUTORES: Amaral, A ; de Carvalho, CN ; Brogueira, P ; Lavareda, G ; Melo, LV ; Godinho, MH ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium on Functional Oxides for Advanced Semiconductor Technologies in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 118, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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25
TÍTULO: a-Si : H TFT enhancement by plasma processing of the insulating/semiconductor interface  Full Text
AUTORES: Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Amaral, A ; Fortunato, E ; Vilarinho, P ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Functional Metal Oxides - Semiconductor Structures held at the E-MRS 2003 Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 109, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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26
TÍTULO: Improvement of field-effect mobilities in TFTs: Surface plasma treatments vs stack dielectric structures
AUTORES: Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Amaral, A ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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27
TÍTULO: ITO films deposited by rf-PERTE on unheated polymer substrates-properties dependence on In-Sn alloy composition  Full Text
AUTORES: de Carvalho, CN ; Lavareda, G ; Fortunato, E ; Vilarinho, R; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Functional Metal Oxides - Semiconductor Structures held at the E-MRS 2003 Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 109, NÚMERO: 1-3
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28
TÍTULO: Optimisation of a home-made RIE system - Effect of SF6 plasma on the properties of partially etched a-Si : H films
AUTORES: Pereira, P; Lavareda, G ; do Rego, AMB ; Amaral, A ; de Carvalho, CN ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS
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29
TÍTULO: Positron annihilation studies in amorphous silicon nitride
AUTORES: Gordo, PM ; Naia, MD ; Gill, CL; de Lima, AP; Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Amaral, A ; Kajcsos, Z;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 13th International Conference on Positron Annihilation (ICPA-13) in POSITRON ANNIHILATION, ICPA-13, PROCEEDINGS, VOLUME: 445-6
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30
TÍTULO: Properties of a-Si : H TFTs using silicon carbonitride as dielectric  Full Text
AUTORES: Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Fortunato, E ; Amaral, A ; Ramos, AR ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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