Ana Maria Heleno Branquinho de Amaral


AuthID: R-000-15S

Publicações Confirmadas: 51



41
TÍTULO: Properties of high growth rate amorphous silicon deposited by MC-RF-PECVD  Full Text
AUTORES: Lavareda, G ; de Carvalho, CN; Amaral, A ; Conde, JP ; Vieira, M ; Chu, V ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 4th Iberian Vacuum Meeting (IVM-4) in VACUUM, VOLUME: 64, NÚMERO: 3-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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42
TÍTULO: Transport properties of indium tin oxide on anisotropic flexible transparent cellulosic substrates
AUTORES: Amaral, A ; de Carvalho, CN ; Brogueira, P ; Melo, LV ; Lavareda, G ; Godinho, MH ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Symposium on Organic and Polymeric Materials and Devices-Optical, Electrical and Optoelectronic Properties held at the 2002 MRS Spring Meeting in ORGANIC AND POLYMERIC MATERIALS AND DEVICES-OPTICAL, ELECTRICAL AND OPTOELECTRONIC PROPERTIES, VOLUME: 725
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43
TÍTULO: Influence of the initial layers on the optical and electrical properties of ITO films  Full Text
AUTORES: Amaral, A ; Brogueira, P ; de Carvalho, CN ; Lavareda, G ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Spring Conference of the E-MRS/IUMRS/ICEM in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 1-2
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44
TÍTULO: ITO thin films deposited by RTE on flexible transparent substrate  Full Text
AUTORES: de Carvalho, CN ; Luis, A; Lavareda, G ; Amaral, A ; Brogueira, P ; Godinho, MH ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Spring Conference of the E-MRS/IUMRS/ICEM in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
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45
TÍTULO: Role of the RF power on the structure of defects in a-Si : H films produced by PECVD
AUTORES: Gordo, PM ; Subrahmanyam, VS; Naia, MD ; Gil, CL; de Lima, AP; Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 12th International Conference on Positron Annihilation (ICPA-12) in POSITRON ANNIHILATION - ICPA-12, VOLUME: 363-3
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46
TÍTULO: Study of defects in hydrogenated amorphous silicon by constant photocurrent method and positron annihilation
AUTORES: Amaral, A ; Lavareda, G ; Nunes de Carvalho, C ; Brogueira, P ; Gordo, PM ; Subrahmanyam, VS; Lopes Gil, C; Duarte Naia, M ; De Lima, AP;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Amorphous and Heterogeneous Silicon Based Films 2001 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 664
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47
TÍTULO: Carrier transport and photogeneration in amorphous silicon crystalline silicon heterojunctions with i/n and p/n interfaces
AUTORES: Yu Vygranenko; Fernandes, M ; Carvalho, CN ; Lavareda, G ; Louro, P ; Amaral, A ; Schwarz, R ; Vieira, M ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: Amorphous and Heterogeneus Silicon Thin Films-2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 609
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48
TÍTULO: Early stage growth structure of indium tin oxide thin films deposited by reactive thermal evaporation  Full Text
AUTORES: Amaral, A ; Brogueira, P ; de Carvalho, CN ; Lavareda, G ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 1999 E-MRS Conference, Symposium B: Protective Coatings and Thin Films in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 125, NÚMERO: 1-3
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49
TÍTULO: Effect of substrate temperature on the surface structure, composition and morphology of indium-tin oxide films  Full Text
AUTORES: de Carvalho, CN ; do Rego, AMB ; Amaral, A ; Brogueira, P ; Lavareda, G ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 124, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 56
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50
TÍTULO: DETERMINATION OF THE DENSITY-OF-STATES IN P-DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON BY MEANS OF THE MODULATED PHOTOCURRENT EXPERIMENT  Full Text
AUTORES: LONGEAUD, C; KLEIDER, JP; MENCARAGLIA, D; AMARAL, A ; CARVALHO, CN ;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 166, NÚMERO: PART 1
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