Nuno Pessoa Barradas


AuthID: R-000-DV0

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171
TÍTULO: Artificial neural network analysis of RBS data with roughness: Application to Ti0.4Al0.6N/Mo multilayers  Full Text
AUTORES: Ohl, G; Matias, V; Vieira, A; Barradas, NP ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 211, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
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172
TÍTULO: Determination of the composition of light thin films with artificial neural network analysis of Rutherford backscattering experiments
AUTORES: Matias, V; Ohl, G; Soares, JC ; Barradas, NP ; Vieira, A; Cardoso, S ; Freitas, PP ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW E, VOLUME: 67, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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173
TÍTULO: Elemental thin film depth profiles by ion beam analysis using simulated annealing - a new tool  Full Text
AUTORES: Jeynes, C; Barradas, NP ; Marriott, PK; Boudreault, G; Jenkin, M; Wendler, E; Webb, RP;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 36, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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174
TÍTULO: Graded selective coatings based on chromium and titanium oxynitride  Full Text
AUTORES: Nunes, C; Teixeira, V ; Prates, ML; Barradas, NP ; Sequeira, AD;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 4th International Conference on Coatings on Glass in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 442, NÚMERO: 1-2
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175
TÍTULO: Magnetic characterization of U/Co multilayers  Full Text
AUTORES: Rosa, MA; Diego, M; Alves, E ; Barradas, NP ; Godinho, M ; Almeida, M ; Concalves, AP ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: European Conference on Physics of Magnetism in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, VOLUME: 196, NÚMERO: 1
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176
TÍTULO: Monte Carlo modeling of the Portuguese Research Reactor core and comparison with experimental measurements
AUTORES: Fernandes, AC; Goncalves, IC; Barradas, NP ; Ramalho, AJ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: NUCLEAR TECHNOLOGY, VOLUME: 143, NÚMERO: 3
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177
TÍTULO: The influence of in situ photoexcitation on a defect structure generation in Ar+ implanted GaAs(001) crystals revealed by high-resolution x-ray diffraction and Rutherford backscattering spectroscopy  Full Text
AUTORES: Chtcherbatchev, KD; Bublik, VT; Markevich, AS; Mordkovich, VN; Alves, E ; Barradas, NP ; Sequeira, AD;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: X-TOP 2002 Conference in JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 36, NÚMERO: 10A
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178
TÍTULO: Accurate determination of the stopping power of He-4 in Si using Bayesian inference  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Jeynes, C; Webb, RP; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 194, NÚMERO: 1
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179
TÍTULO: Analysis of sapphire implanted with different elements using artificial neural networks  Full Text
AUTORES: Vieira, A; Barradas, NP ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 15th International Conference on Ion-Beam Analysis (IBA-15) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 190, NÚMERO: 1-4
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180
TÍTULO: Application of high-resolution X-ray diffraction to study strain status in Si1-xGex/Si1-yGey/Si (001) heterostructures  Full Text
AUTORES: Chtcherbatchev, KD; Sequeira, AD; Franco, N; Barradas, NP ; Myronov, M; Mironov, OA; Parker, EHC;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 9th International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP IX) in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 91
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