81
TÍTULO: Transport in high mobility amorphous wide band gap indium zinc oxide films  Full Text
AUTORES: Martins, R ; Barquinha, P ; Pimentel, A ; Pereira, L ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 202, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
82
TÍTULO: Influence of the deposition conditions on the properties of titanium oxide produced by r.f. magnetron sputtering  Full Text
AUTORES: Barquinha, P ; Pereira, L ; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on New Materials in Future Silicon Technology Held at the E-MAR 2004 Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 7, NÚMERO: 4-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
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TÍTULO: Next generation of thin film transistors based on zinc oxide
AUTORES: Fortunato, E ; Barquinha, P ; Pimentel, A ; Goncalves, A; Pereira, L ; Marques, A; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Integration of Advanced Micro-and Nanoelectronic Devices held at the 2004 MRS Spring Meeting in INTEGRATION OF ADVANCED MICRO-AND NANOELECTRONIC DEVICES-CRITICAL ISSUES AND SOLUTIONS, VOLUME: 811
INDEXADO EM: Scopus WOS
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TÍTULO: Wide-bandgap high-mobility ZnO thin-film transistors produced at room temperature  Full Text
AUTORES: Fortunato, EMC ; Barquinha, PMC ; Pimentel, ACMBG ; Goncalves, AMF; Marques, AJS; Martins, RFP ; Pereira, LMN ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 85, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 472
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