131
TÍTULO: Low temperature high k dielectric on poly-Si TFTs  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Barquinha, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
NO MEU: ORCID
132
TÍTULO: Low temperature high k dielectric on poly-Si TFTs  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Barquinha, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: WOS
133
TÍTULO: Metal contamination detection in nickel induced crystallized silicon by spectroscopic ellipsometry  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Beckers, M; Martins, RMS ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
134
TÍTULO: n-PS/a-Si : H heterojunction for device application  Full Text
AUTORES: Prabakaran, R; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ; Ferreira, I ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: WOS
135
TÍTULO: n-PS/a-Si:H heterojunction for device application  Full Text
AUTORES: Prabakaran, R; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ; Ferreira, I ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
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136
TÍTULO: New Amorphous Oxide Semiconductor for Thin Film Transistors (TFTs)
AUTORES: Fortunato, E ; Barquinha, P ; Goncalves, G; Pereira, L ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 13th Conference of the Sociedade-Portuguesa-de-Materiais/4th International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM IV, VOLUME: 587-588
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
NO MEU: ORCID
137
TÍTULO: Optical and Microstructural Investigations of Porous Silicon Coated with a-Si:H using PECVD Technique
AUTORES: Prabakaran, R; Aguas, H ; Pereira, L ; Elangovan, E; Fortunato, E ; Martins, R ; Ferreira, I ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 13th Conference of the Sociedade-Portuguesa-de-Materiais/4th International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM IV, VOLUME: 587-588
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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138
TÍTULO: Some studies on highly transparent wide band gap indium molybdenum oxide thin films rf sputtered at room temperature  Full Text
AUTORES: Elangovan, E; Marques, A; Viana, AS ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Symposium on Advances in Transparents Electronics held at the European-Materials-Research-Society Meeting in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 516, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
139
TÍTULO: Spectral response characterization of a-Si : H-based MIS-type photosensors  Full Text
AUTORES: Fernandes, M ; Vygranenko, Y ; Fantoni, A ; Martins, R ; Vieira, M ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: E-MRS 2007 Spring Meeting Symposium on Advances in Transparent Electronics: From Materials to Devices II in PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 10, VOLUME: 5, NÚMERO: 10
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140
TÍTULO: Spectroscopic ellipsometry study of Co-doped TiO2 films  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Popovici, N; Pereira, L ; Conde, O ; Branford, WR; Cohen, LF; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 205, NÚMERO: 4
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