Sérgio Manuel de Sousa Pereira


AuthID: R-000-GF5

Publicações Confirmadas: 72



51
TÍTULO: Raman study of the A(1)(LO) phonon in relaxed and pseudomorphic InGaN epilayers  Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Frandon, J; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 83, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 37
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52
TÍTULO: Wishful physics - some common misconceptions about InGaN  Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; Pereira, S ; Martin, RW; Edwards, PR; Tobin, MJ; Mosselmans, JFW;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, VOLUME: 195, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
53
TÍTULO: Analysis of strain depth variations in an In(0.19)Ga(0.81)N layer by Raman spectroscopy  Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Frandon, J; Renucci, MA; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
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54
TÍTULO: Degradation of structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells with increasing number of wells  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
NO MEU: ORCID
55
TÍTULO: Depth profiling InGaN/GaN multiple quantum wells by Rutherford backscattering: The role of intermixing  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Pereira, E; Alves, E ; Barradas, NP ; O'Donnell, KP; Liu, C; Deatcher, CJ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 12
NO MEU: ORCID
56
TÍTULO: Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers (vol 79, pg 1432, 2001)  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
57
TÍTULO: Photoluminescence excitation spectroscopy of InGaN epilayers  Full Text
AUTORES: White, ME; O'Donnell, KP; Martin, RW; Pereira, S ; Deatcher, CJ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 93, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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58
TÍTULO: Preliminary investigations of infrared Er-related photoluminescence in ion-implanted In0.07Ga0.93N  Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Cavaco, A; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
NO MEU: ORCID
59
TÍTULO: Splitting of X-ray diffraction and photoluminescence peaks in InGaN/GaN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Martin, RW; White, ME; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 93, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 12
NO MEU: ORCID
60
TÍTULO: Strain and composition distributions in wurtzite InGaN/GaN layers extracted from x-ray reciprocal space mapping  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Deatcher, CJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 21
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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