71
TÍTULO: Structural and optical properties of Er3+ ion in sol-gel grown LiNbO3  Full Text
AUTORES: Graca, MPF ; Valente, MA ; Peres, M; Cruz, A; Soares, MJ ; Neves, AJ ; Monteiro, T ; Alves, LC ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 19, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
72
TÍTULO: Structural and photoluminescence properties of ZnO nanoparticles on silicon oxide  Full Text
AUTORES: Giannakopoulos, K; Boukos, N; Travlos, A; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Peres, M; Neves, A ; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, VOLUME: 88, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
73
TÍTULO: Use of ZnO thin films as sacrificial templates for metal organic vapor phase epitaxy and chemical lift-off of GaN  Full Text
AUTORES: Rogers, DJ; Hosseini H Teherani; Ougazzaden, A; Gautier, S; Divay, L; Lusson, A; Durand, O; Wyczisk, F; Garry, G; Monteiro, T ; Correira, MR; Peres, M; Neves, A ; McGrouther, D; Chapman, JN; Razeghi, M;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 91, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 68
74
TÍTULO: Visible and infrared photoluminescence from erbium-doped silicon nanocrystals produced by rf sputtering
AUTORES: Cerqueira, MF; Losurdo, M; Monteiro, T ; Stepikova, M; Soares, MJ ; Peres, M; Alpuim, P ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 7th International Conference on Trends in Nanotechnology (TNT 2006) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 204, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
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75
TÍTULO: ZnO films grown by laser ablation with and without oxygen CVD  Full Text
AUTORES: Bentes, L; Ayouchi, R ; Santos, C; Schwarz, R ; Sanguino, P; Conde, O ; Peres, M; Monteiro, T ; Teodoro, O ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Symposium on ZnO and Related Materials held at the 2006 EMRS Spring Meeting in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 42, NÚMERO: 1-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 14
76
TÍTULO: ZnO homoepitaxy on the O polar face of hydrothermal and melt-grown substrates by pulsed laser deposition  Full Text
AUTORES: Rogers, DJ; Hosseini H Teherani; Largeteau, A; Demazeau, G; Moisson, C; Turover, D; Nause, J; Garry, G; Kling, R; Gruber, T; Waag, A; Jomard, F; Galtier, P; Lusson, A; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Neves, A ; Carmo, MC; Peres, M; Lerondel, G; Hubert, C; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, VOLUME: 88, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 11
77
TÍTULO: Effect of the matrix on the 1.5 mu m photoluminescence of Er-doped silicon quantum dots
AUTORES: Cerqueira, MF ; Stepikhova, M; Losurdo, M; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Peres, M; Neves, A ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
78
TÍTULO: Erbium-doped silicon nanocrystals grown by r.f. sputtering method: Competition between oxygen and silicon to get erbium  Full Text
AUTORES: Cerqueira, MF; Stepikhova, M; Losurdo, M; Giangregorio, MM; Kozanecki, A; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
79
TÍTULO: High temperature annealing of rare earth implanted GaN films: Structural and optical properties  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Nogales, E; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Wojdak, M; Braud, A; Monteiro, T ; Wojtowicz, T; Ruterana, P; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 39
80
TÍTULO: Layer-by-layer deposition of organically capped quantum dots
AUTORES: Neves, MC ; Pereira, AS ; Peres, M; Kholkin, A ; Monteiro, T ; Trindade, T ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 2
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