Victoria Corregidor Berdasco


AuthID: R-000-QJW

Publicações Confirmadas: 22



11
TÍTULO: Modeling the performance of low concentration photovoltaic systems  Full Text
AUTORES: Reis, F; Brito, MC ; Corregidor, V ; Wemans, J; Sorasio, G;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, VOLUME: 94, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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12
TÍTULO: Compositional analysis and evolution of defects formed on GaInP epilayers grown on Germanium  Full Text
AUTORES: Beatriz Galiana; Enrique Barrigon; Ignacio Rey Stolle; Victoria Corregidor ; Pilar Espinet; Carlos Algora; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 9th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructure in Semiconductors in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 45, NÚMERO: 4-5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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13
TÍTULO: Growth of GaInSb concentrated alloys under alternating magnetic field  Full Text
AUTORES: Mitric, A; Duffar, T; Corregidor, V ; Alves, LC ; Barradas, NP ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 15th International Conference on Crystal Growth in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 310, NÚMERO: 7-9
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14
TÍTULO: Cathodoluminescence of Ga1-xInxAsySb1-y epitaxial layers
AUTORES: Cheze, C; Mendez, B; Piqueras, J; Corregidor, V ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, VOLUME: 8, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
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15
TÍTULO: Growth of Ga(1-x)InxSb alloys by Vertical Bridgman technique under alternating magnetic field  Full Text
AUTORES: Mitric, A; Duffar, T; Diaz Guerra, C; Corregidor, V ; Alves, LC ; Garnier, C; Vian, G;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 16th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy/12th US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy* in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 287, NÚMERO: 2
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16
TÍTULO: Comparison between vertical Bridgman and feeding techniques for GaInSb alloy growths  Full Text
AUTORES: Vincent, J; Bermudez, V; Dieguez, E; Alves, LC ; Corregidor, V ; Barradas, NP ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Proceedings of the 14th International Conference on Crystal Growth and the 12th Internatioanl Conference on Vapor Growth and Epitaxy in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 275, NÚMERO: 1-2
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17
TÍTULO: Compositional and structural characterisation of GaSb and GaInSb  Full Text
AUTORES: Corregidor, V ; Alves, E ; Alves, LC ; Barradas, NP ; Duffar, T; Franco, N; Marques, C; Mitric, A;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 8th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 240, NÚMERO: 1-2
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18
TÍTULO: Detection angle resolved PIXE and the equivalent depth concept for thin film characterization  Full Text
AUTORES: Miguel A. Reis ; Chaves, PC ; Corregidor, V ; Barradas, NP ; Alves, E ; Dimroth, F; Bett, AW;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 10th PIXE Conference in X-RAY SPECTROMETRY, VOLUME: 34, NÚMERO: 4
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19
TÍTULO: Growth of concentrated GaInSb alloys with improved chemical, homogeneity at low and variable pulling rates  Full Text
AUTORES: Stelian, C; Duffar, T; Mitric, A; Corregidor, V ; Alves, LC ; Barradas, NP ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 283, NÚMERO: 1-2
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20
TÍTULO: Ion beam analysis of GaInAsSb films grown by MOVPE on GaSb  Full Text
AUTORES: Corregidor, V ; Barradas, NP ; Alves, E ; Franco, N; Alves, LC ; Chaves, PC ; Miguel A. Reis ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 18th International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 241, NÚMERO: 1-4
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