Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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151
TÍTULO: Influence of thermal annealing on the structural and optical properties of GaN/AlN quantum dots  Full Text
AUTORES: Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ; Magalhaes, S; Alves, E ; Lorenz, K ; Okuno Vila, H; Fellmann, V; Bougerol, C; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: E-MRS Fall Meeting on Wide Band Gap II-VI and III-V Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 247, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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152
TÍTULO: Isotopic fingerprints of Pt-containing luminescence centers in highly enriched Si-28
AUTORES: Steger, M; Yang, A; Sekiguchi, T; Saeedi, K; Thewalt, MLW; Henry, MO; Johnston, K; Alves, E ; Wahl, U ; Riemann, H; Abrosimov, NV; Churbanov, MF; Gusev, AV; Kaliteevskii, AK; Godisov, ON; Becker, P; J Pohl;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 81, NÚMERO: 23
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153
TÍTULO: Lattice site location of optical centers in GaN:Eu light emitting diode material grown by organometallic vapor phase epitaxy  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Roqan, IS; O'Donnell, KP; Nishikawa, A; Fujiwara, Y; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 11
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154
TÍTULO: Mn-doped ZnO nanocrystals embedded in Al2O3: structural and electrical properties
AUTORES: Khodorov, A ; Levichev, S ; Rolo, AG ; Karzazi, O; Chahboun, A ; Novak, J; Vorobiev, A; Tavares, CJ ; Eyidi, D; Riviere, JP; Beaufort, MF; Barradas, NP ; Alves, E ; Barber, DJ; Lanceros Mendez, S ; Gomes, MJM ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 21, NÚMERO: 50
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155
TÍTULO: Multilayers of Ge nanocrystals embedded in Al2O3 matrix: Structural and electrical studies  Full Text
AUTORES: Pinto, SRC; Rolo, AG ; Chahboun, A ; Maja Buljan; Khodorov, A ; Kashtiban, RJ; Bangert, U; Barradas, NP ; Alves, E ; Bernstorff, S; Gomes, MJM ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: MICROELECTRONIC ENGINEERING, VOLUME: 87, NÚMERO: 12
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156
TÍTULO: N-Doped Photocatalytic Titania Thin Films on Active Polymer Substrates
AUTORES: Tavares, CJ ; Marques, SM; Lanceros Mendez, S ; Rebouta, L ; Alves, E ; Barradas, NP ; Munnik, F; Girardeau, T; P Riviere;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: International Conference on Surface, Coatings and Nanostructured Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 2
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157
TÍTULO: Optical and Structural Properties of an Eu Implanted Gallium Nitride Quantum Dots/Aluminium Nitride Superlattice
AUTORES: Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ; Magalhaes, S; Franco, N; Lorenz, K ; Alves, E ; Damilano, B; Massies, J; Dussaigne, A; Grandjean, N;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Advanced Nano Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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158
TÍTULO: Optical doping and damage formation in AlN by Eu implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Gloux, F; Ruterana, P; Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 107, NÚMERO: 2
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159
TÍTULO: Raman study of doped-ZnO thin films grown by rf sputtering  Full Text
AUTORES: Cerqueira, MF ; Rolo, AG ; Viseu, T ; de Campos, JA ; de Lacerda Aroso, T ; Oliveira, F; Vasilevskiy, MI ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society/Symposium F on Advances in Transparent Electronics-From Materials to Devices in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 9, VOLUME: 7, NÚMERO: 9
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160
TÍTULO: RE Implantation and Annealing of III-Nitrides
AUTORES: Katharina Lorenz ; Eduardo Alves ; Florence Gloux; Pierre Ruterana;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: RARE EARTH DOPED III-NITRIDES FOR OPTOELECTRONIC AND SPINTRONIC APPLICATIONS, VOLUME: 124
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