Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

Publicações Confirmadas: 597



231
TÍTULO: Electrical conductivity in undoped alpha-Al2O3 crystals implanted with Mg ions  Full Text
AUTORES: Tardio, M; Gonzalez, R; Ramirez, R; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 14th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-14) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 266, NÚMERO: 12-13
INDEXADO EM: Scopus WOS
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232
TÍTULO: Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures  Full Text
AUTORES: Leitao, JP ; Sobolev, NA; Correia, MR ; Carmo, MC; Stepina, N; Yakimov, A; Nikiforov, A; Magalhaes, S; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 517, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
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233
TÍTULO: Elemental and RBS analysis of hybrid materials prepared by gamma-irradiation  Full Text
AUTORES: Gomes, SR; Margaca, FMA; Miranda M M Salvado ; Leal, JP ; Marques, C; Alves, E ; Ferreira, LM ; Falcao, AN;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 266, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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234
TÍTULO: Erratum: Efficient dipole-dipole coupling of Mott-Wannier and Frenkel excitons in (Ga,In)N quantum well/polyfluorene semiconductor heterostructures (Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics (2007) 76, (035344))
AUTORES: Itskos, G; Heliotis, G; Lagoudakis, PG; Lupton, J; Barradas, NP ; Alves, E ; Pereira, S; Watson, IM; Dawson, MD; Feldmann, J; Murray, R; Bradley, DDC;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 77, NÚMERO: 7
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235
TÍTULO: Evaluation of exposure parameters in plain radiography: A comparative study with European guidelines
AUTORES: Lanca, L; Silva, A ; Alves, E ; Serranheira, F ; Correia, M;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Workshop on Safety and Efficacy for New Techniques and Imaging using New Equipment Supporting European Legislation in RADIATION PROTECTION DOSIMETRY, VOLUME: 129, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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236
TÍTULO: Further insight into the temperature quenching of photoluminescence from InAs/GaAs self-assembled quantum dots  Full Text
AUTORES: Chahboun, A ; Vasilevskiy, MI ; Baidus, NV; Cavaco, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Alves, E ; Zvonkov, BN;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 103, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 18
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237
TÍTULO: Influence of air oxidation on the properties of decorative NbOxNy coatings prepared by reactive gas pulsing  Full Text
AUTORES: Chappe, JM; Carvalho, P; Lanceros Mendez, S ; Vasilevskiy, MI ; Vaz, F ; Machado, AV ; Fenker, M; Kappl, H; Parreira, NMG; Cavaleiro, A ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 202, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS
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238
TÍTULO: Influence of the chemical and electronic structure on the electrical behavior of zirconium oxynitride films  Full Text
AUTORES: Carvalho, P; Chappe, JM; Cunha, L ; Lanceros Mendez, S; Alpuim, P ; Vaz, F ; Alves, E ; Rousselot, C; Espinos, JP; Gonzalez Elipe, AR;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 103, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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239
TÍTULO: Ion beam studies of InAs/GaAs self assembled quantum dots  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Magalhaes, S; Barradas, NP ; Baidus, NV; Vasilevskiy, MI ; Zvonkov, BN;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 18th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 266, NÚMERO: 8
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240
TÍTULO: Luminescence and vibrational properties of erbium-implanted nanoporous GaN  Full Text
AUTORES: Soh, CB; Chua, SJ; Sim, SH; Tripathy, S; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) in PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, VOLUME: 5, NÚMERO: 6
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