Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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591
TÍTULO: LATTICE LOCATION OF ER IN GAAS AND AL0.5GA0.5AS LAYERS GROWN BY MBE ON (100) GAAS SUBSTRATES  Full Text
AUTORES: ALVES, E ; DASILVA, MF; EVANS, KR; JONES, CR; MELO, AA; SOARES, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: 8TH INTERNATIONAL CONF ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 80-1, NÚMERO: PART 1
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592
TÍTULO: EPITAXIAL REGROWTH AND LATTICE LOCATION OF INDIUM IMPLANTED IN ARSENIC-PREAMORPHIZED SILICON  Full Text
AUTORES: ALVES, E ; DASILVA, MF; SOARES, JC ; MELO, AA; MAY, J; HASLAR, V; SEIDL, P; FEUSER, U; VIANDEN, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 55, NÚMERO: 1-4
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593
TÍTULO: LATTICE SITE LOCATION AND OUTDIFFUSION OF MERCURY IMPLANTED IN GAAS  Full Text
AUTORES: SOARES, JC ; MELO, AA; ALVES, E ; DASILVA, MF; GILLIN, WP; SEALY, BJ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: 7TH INTERNATIONAL CONF ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS ( IBMM 90 ) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 59, NÚMERO: PART 2
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594
TÍTULO: VACANCY ACCEPTOR COMPLEXES IN GERMANIUM PRODUCED BY ION-IMPLANTATION  Full Text
AUTORES: FEUSER, U; VIANDEN, R; ALVES, E ; DASILVA, MF; SZILAGYI, E; PASZTI, F; SOARES, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: 7TH INTERNATIONAL CONF ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS ( IBMM 90 ) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 59, NÚMERO: PART 2
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595
TÍTULO: REGROWTH OF INDIUM-IMPLANTED (100), (110) AND (111) SILICON-CRYSTALS STUDIED WITH RUTHERFORD BACKSCATTERING AND PERTURBED ANGULAR-CORRELATION TECHNIQUES  Full Text
AUTORES: ALVES, E ; DASILVA, MF; MELO, AA; SOARES, JC ; FEUSER, U; VIANDEN, R;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: SYMP AT THE 1989 SPRING MEETING OF THE EUROPEAN MATERIALS SOC : SCIENCE AND TECHNOLOGY OF DEFECTS IN SILICON in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 4, NÚMERO: 1-4
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596
TÍTULO: LATTICE LOCATION STUDIES ON HAFNIUM, THALLIUM AND LEAD IMPLANTED MAGNESIUM SINGLE CRYSTALS.
AUTORES: da Silva, MF; da Silva, MR; Alves, E ; Melo, A; Soares, JC ; Winand, J; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: Surface Engineering: Surface Modification of Materials. in NATO ASI Series, Series E: Applied Sciences, NÚMERO: 85
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597
TÍTULO: NEW HAFNIUM-BERYLLIUM SYSTEM PRODUCED BY ION IMPLANTATION AND ANNEALING TECHNIQUES.
AUTORES: Soares, JC ; Melo, AA; DaSilva, MF; Alves, EJ ; Freitag, K; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: Ion Implantation and Ion Beam Processing of Materials, Symposium. in Materials Research Society Symposia Proceedings, VOLUME: 27
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