Elvira Maria Correia Fortunato


AuthID: R-000-4M5

Publicações Confirmadas: 508



201
TÍTULO: Electrodeposition of polypyrrole on aluminium in aqueous tartaric solution  Full Text
AUTORES: Martins, JI ; Costa, SC; Bazzaoui, M; Goncalves, G; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: ELECTROCHIMICA ACTA, VOLUME: 51, NÚMERO: 26
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202
TÍTULO: Electron transport and optical characteristics in amorphous indium zinc oxide films  Full Text
AUTORES: Martins, R ; Almeida, P ; Barquinha, P ; Pereira, L ; Pimentel, A ; Ferreira, I ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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203
TÍTULO: Heterojunction solar cells with n-type nanocrystalline silicon emitters on p-type c-Si wafers  Full Text
AUTORES: Ying Xu; Zhihua H Hu; Hongwei W Diao; Yi Cai; Shibin B Zhang; Xiangbo B Zeng; Huiying Y Hao; Xianbo B Liao; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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204
TÍTULO: High mobility amorphous/nanocrystalline indium zinc oxide deposited at room temperature  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Pimentel, A ; Goncalves, A; Marques, A; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 5th International Conference on Coating on Glass in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 502, NÚMERO: 1-2
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205
TÍTULO: Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells  Full Text
AUTORES: Zhihua H Hu; Xianbo B Liao; Hongwei W Diao; Yi Cai; Shibin B Zhang; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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206
TÍTULO: Hydrogenated silicon carbon nitride films obtained by HWCVD, PA-HWCVD and PECVD techniques  Full Text
AUTORES: Ferreira, I ; Fortunato, E ; Vilarinho, P ; Viana, AS ; Ramos, AR ; Alves, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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207
TÍTULO: Impedance study of the electrical properties of poly-Si thin film transistors  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Raniero, L; Barquinha, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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208
TÍTULO: Influence of the ex-situ and in-situ annealed self-buffer layer on ZnO film  Full Text
AUTORES: Wang, JZ; Sallet, V; Amiri, G; Rommelluere, JF; Lusson, A; Rzepka, E; Lewis, JE; Galtier, P; Fortunato, E ; Martins, R ; Gorochov, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 12th International Conference on II-VI Compounds in Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 3, No 4, VOLUME: 3, NÚMERO: 4
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209
TÍTULO: Influence of the self-buffer layer on ZnO film grown by atmospheric metal organic chemical vapor deposition  Full Text
AUTORES: Jinzhong Z Wang; Vincent Sallet; Gaele Amiri; Jean Francois Rommelluere; Alain Lusson; John E Lewis; Pierre Galtier; Fortunato, E ; Martins, R ; Ouri Gorochov;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 515, NÚMERO: 4
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210
TÍTULO: Influence of the semiconductor thickness on the electrical properties of transparent TFTs based on indium zinc oxide  Full Text
AUTORES: Barquinha, P ; Pimentel, A ; Marques, A; Pereira, L ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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