Elvira Maria Correia Fortunato


AuthID: R-000-4M5

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261
TÍTULO: Study of a-SiC : H buffer layer on nc-Si/a-Si : H solar cells deposited by PECVD technique.  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Ferreira, I ; Aguas, H ; Zhang, S; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference in Conference Record of the Thirty-First IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 2005
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262
TÍTULO: Super linear position sensitive detectors using MIS structures  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Costa, D; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium of the European-Materials-Research-Society on Si-Based Photonics - Towards True Monolithic Integration in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 27, NÚMERO: 5
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263
TÍTULO: Thin Solid Films: Preface
AUTORES: Nickel, NH; Werner, JH; Strunk, HP; Baranovskii, SD; Binetti, S; Fauchet, PM; Fortunato, E ; Grigoropoulos, CP; Hasegawa, S; Ley, L; Lincot, D; Moller, HJ; Witvrouw, A; Yang, J;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: International Conference on Polycrystalline Semiconductors-Materials, Technologies, Device Applications in Thin Solid Films, VOLUME: 487, NÚMERO: 1-2
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264
TÍTULO: Transport in high mobility amorphous wide band gap indium zinc oxide films  Full Text
AUTORES: Martins, R ; Barquinha, P ; Pimentel, A ; Pereira, L ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 202, NÚMERO: 9
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265
TÍTULO: Zinc oxide thin-film transistors
AUTORES: Fortunato, E ; Barquinha, P; Pimentel, A ; Goncalves, A; Marques, A; Pereira, L ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: NATO Advanced Research Workshop on Zinc Oxide as a Material for Micro- and Optoelectronic Applications in Zinc Oxide - A Material for Micro- and Optoelectronic Applications, VOLUME: 194
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266
TÍTULO: a-Si : H TFT enhancement by plasma processing of the insulating/semiconductor interface  Full Text
AUTORES: Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Amaral, A ; Fortunato, E ; Vilarinho, P ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Functional Metal Oxides - Semiconductor Structures held at the E-MRS 2003 Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 109, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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267
TÍTULO: Al-doped ZnO thin films by sol-gel method  Full Text
AUTORES: Musat, V; Teixeira, B; Fortunato, E ; Monteiro, RCC ; Vilarinho, P ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Protective Coatings and Thin Films held at the E-MRS 20th Spring Meeting in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 180
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 160
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268
TÍTULO: Batch processing method to deposit a-Si : H films by PECVD
AUTORES: Raniero, L; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Ferreira, I ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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269
TÍTULO: Characterization of polymorphous silicon thin film and solar cells
AUTORES: Zhang, S; Xu, Y; Liao, X; Martins, R; Fortunato, E ; Hu, Z; Kong, G;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: WOS CrossRef: 1
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270
TÍTULO: Characterization of silicon carbide thin films prepared by VHF-PECVD technology  Full Text
AUTORES: Zhang, S; Raniero, L; Fortunato, E ; Pereira, L ; Martins, N; Canhola, P; Ferreira, I ; Nedev, N; Aguas, H ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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