Elvira Maria Correia Fortunato


AuthID: R-000-4M5

Publicações Confirmadas: 508



301
TÍTULO: Porous a/nc-Si : H films produced by HW-CVD as ethanol vapour detector and primary fuel cell  Full Text
AUTORES: Ferreira, I ; Igreja, R ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 17th European Conference on Solid-State Transducers (Eurosensors XVII) in SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, VOLUME: 103, NÚMERO: 1-2
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302
TÍTULO: Properties of a-Si : H intrinsic films produced by HWPA-CVD technique  Full Text
AUTORES: Ferreira, I ; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
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303
TÍTULO: Properties of a-Si : H TFTs using silicon carbonitride as dielectric  Full Text
AUTORES: Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Fortunato, E ; Amaral, A ; Ramos, AR ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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304
TÍTULO: Properties of ITO films deposited by plasma enhanced RTE on unheated polymer sheets - dependence on rf electrode distance from substrates  Full Text
AUTORES: de Carvalho, CN ; Lavareda, G ; Fortunato, E ; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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305
TÍTULO: Role of substrate on the growth process of polycrystalline silicon thin films by low-pressure chemical vapour deposition
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Raniero, L; Martins, RMS ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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306
TÍTULO: Role of the rf frequency on the structure and composition of polymorphous silicon films  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Raniero, L; Pereira, L ; Viana, AS ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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307
TÍTULO: Silicon etching in CF(4)/O(2) and SF(6) atmospheres
AUTORES: Silva, A; Raniero, L; Ferreira, E; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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308
TÍTULO: Spectral response of large area amorphous silicon solar cells
AUTORES: Raniero, L; Martins, N; Canhola, P; Pereira, S; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: HIGH TEMPERATURE MATERIAL PROCESSES, VOLUME: 8, NÚMERO: 2
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309
TÍTULO: Sputtering preparation of silicon nitride thin films for gate dielectric applications
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Igreja, R ; Martins, RMS ; Nedev, N; Raniero, L; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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310
TÍTULO: The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order  Full Text
AUTORES: Zhang, S; Liao, X; Xu, Y; Martins, R ; Fortunato, E ; Kong, G;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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