Elvira Maria Correia Fortunato


AuthID: R-000-4M5

Publicações Confirmadas: 508



321
TÍTULO: Highly sensitive ZnO ozone detectors at room temperature
AUTORES: Bender, M; Fortunato, E ; Nunes, P; Ferreira, I ; Marques, A; Martins, R ; Katsarakis, N; Cimalla, V; Kiriakidis, G;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, VOLUME: 42, NÚMERO: 4B
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322
TÍTULO: Influence of the deposition pressure on the properties of transparent and conductive ZnO : Ga thin-film produced by r.f. sputtering at room temperature  Full Text
AUTORES: Assuncao, V; Fortunato, E ; Marques, A; Aguas, H ; Ferreira, I ; Costa, MEV ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 4th Symposium on Thin Films for Large Area Electronics held at the EMRS 2002 Spring Conference in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
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323
TÍTULO: Large area deposition of polymorphous silicon by plasma enhanced chemical vapor deposition at 27.12 MHz and 13.56 MHz
AUTORES: Aguas, H ; Silva, V; Fortunato, E ; Lebib, S; Cabarrocas, PRI; Ferreira, I ; Guimaraes, L; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, VOLUME: 42, NÚMERO: 8
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324
TÍTULO: New challenges on gallium-doped zinc oxide films prepared by r.f. magnetron sputtering  Full Text
AUTORES: Assuncao, V; Fortunato, E ; Marques, A; Goncalves, A; Ferreira, I ; Aguas, H ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 4th International Conference on Coatings on Glass in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 442, NÚMERO: 1-2
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325
TÍTULO: Polymorphous silicon deposited in large area reactor at 13 and 27 MHz  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Cabarrocas, PRI; Lebib, S; Silva, V; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 4th Symposium on Thin Films for Large Area Electronics held at the EMRS 2002 Spring Conference in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
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326
TÍTULO: Polymorphous silicon films deposited at 27.12 MHz  Full Text
AUTORES: Martins, R ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Lebib, S; Cabarrocas, PRI; Guimaraes, L;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, VOLUME: 9, NÚMERO: 6
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327
TÍTULO: Polymorphous silicon films deposited at 27.12 MHz  Full Text
AUTORES: Martins, R ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Lebib, S; I Cabarrocas, PR; Guimaraes, L;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Chemical Vapor Deposition, VOLUME: 9, NÚMERO: 6
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328
TÍTULO: Polymorphous silicon films produced in large area reactors by PECVD at 27.12 MHz and 13.56 MHz
AUTORES: Aguas, H ; Raniero, L; Pereira, L ; Fortunato, E ; Cabarrocas, PRI; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on Amorphous and Nanocrystalline Silicon-Based Films held at the 2003 MRS Spring Meeting in AMORPHOUS AND NANOCRYSTALLINE SILICON-BASED FILMS-2003, VOLUME: 762
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329
TÍTULO: Properties of ITO films deposited by r.f.-PERTE on unheated polymer substrates-dependence on oxygen partial pressure  Full Text
AUTORES: de Carvalho, CN ; Lavareda, G ; Fortunato, E ; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 4th Symposium on Thin Films for Large Area Electronics held at the EMRS 2002 Spring Conference in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
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330
TÍTULO: Spectroscopic ellipsometry study of amorphous silicon anodically oxidised  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Goncalves, A; Pereira, L ; Silva, R; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 4th Symposium on Thin Films for Large Area Electronics held at the EMRS 2002 Spring Conference in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
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