Henrique Leonel Gomes


AuthID: R-000-5XR

Publicações Confirmadas: 86



81
TÍTULO: DLTS investigation of acceptor states in P3MeT Schottky barrier diodes
AUTORES: Jones, GW; Taylor, DM; Gomes, HL ;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: IEE Colloquium (Digest), NÚMERO: 242
INDEXADO EM: Scopus
82
TÍTULO: Electrical characterization of the rectifying contact between aluminium and electrodeposited poly(3-methylthiophene)
AUTORES: Taylor, DM; Gomes, HL ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 28, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
83
TÍTULO: Investigation of electron acceptor states in poly(3-methylthiophene)
AUTORES: Taylor, DM; Gomes, HL ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Proceedings of the 1995 Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena in Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena (CEIDP), Annual Report
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
84
TÍTULO: Schottky barriers to semiconducting polymers
AUTORES: Taylor, DM; Gomes, HL ;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Electronics Division Colloquium on Molecular Electronic Devices in IEE Colloquium (Digest), NÚMERO: 84
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
85
TÍTULO: Charge transport in poly(3-methylthiophene) schottky barrier diodes  Full Text
AUTORES: Gomes, HL ; Taylor, DM; Underhill, AE;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Synthetic Metals, VOLUME: 57, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
86
TÍTULO: Effect of oxygen on the electrical characteristics of field effect transistors formed from electrochemically deposited films of poly(3-methylthiophene)
AUTORES: Taylor, DM; Gomes, HL ; Underhill, AE; Edge, S; Clemenson, PI;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 24, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
NO MEU: ORCID
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