João Guilherme Martins Correia


AuthID: R-000-6ZY

Publicações Confirmadas: 123



91
TÍTULO: Emission channeling studies of Pr in GaN  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Vantomme, A; Langouche, G; J.P Araújo ; Peralta, L ; Correia, JG ; ISOLDE Collaboration, ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 88, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 50
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92
TÍTULO: Lattice location and stability of ion implanted Cu in Si
AUTORES: Wahl, U; Vantomme, A; Langouche, G; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 84, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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93
TÍTULO: Lattice location of implanted Cu in highly doped Si  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Vantomme, A; Langouche, G; Araujo, JP ; Peralta, L; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 77, NÚMERO: 14
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 23
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94
TÍTULO: Local probing of Hg neighboorhood in HgBa2CuO4+delta  Full Text
AUTORES: Correia, JG ; Araujo, JP ; Loureiro, SM; Toulemonde, P; Le Floch, S; Bordet, P; Capponi, JJ; Gatt, R; Troger, W; Ctortecka, B; Butz, T; Haas, H; Marques, JG ; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductivity High Temperature Superconductors VI in PHYSICA C, VOLUME: 341, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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95
TÍTULO: Er-O clustering and its influence on the lattice sites of Er in Si  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Correia, JG ; Araujo, JP ; Vantomme, A; Langouche, G;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 273-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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96
TÍTULO: Lattice location of implanted Cu in Si  Full Text
AUTORES: Wahl, U; Correia, JG ; Vantomme, A; Langouche, G;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 273-4
INDEXADO EM: Scopus WOS
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97
TÍTULO: On-line perturbed angular correlation studies with the short lived Cs-127 probe  Full Text
AUTORES: J.G Correia ; J.G Marques ; A.A Melo; J.C Soares ; Haas, H; ISOLDE Collaboration;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 152, NÚMERO: 2-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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98
TÍTULO: Stability and diffusion of Hg implanted YBa2Cu3O6+x  Full Text
AUTORES: J.P Araújo ; J.G Correia ; Wahl, U ; J.G Marques ; Alves, E ; V.S Amaral ; A.A Lourenço; Galindo, V; T.von Papen; J.P Senateur; Weiss, F; Vantomme, A; Langouche, G; A.A Melo; M.F.da Silva; J.C Soares ; J.B Sousa ; the ISOLDE Collaboration;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 11th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM98) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 148, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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99
TÍTULO: Stability studies of Hg implanted YBa2Cu3O6+x  Full Text
AUTORES: J.P Araújo ; J.G Correia ; Wahl, U ; J.G Marques ; Alves, E ; V.S Amaral ; A.A Lourenço; Galindo, V; von Papen, T; J.P Senateur; Weiss, F; Vantomme, A; Langouche, G; A.A Melo; M.F da Silva; J.C Soares ; J.B Sousa ; ISOLDE Collaboration;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: Symposium J on Ion Implantation into Semiconductors, Oxides and Ceramics, at the Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 147, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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100
TÍTULO: Electron emission channeling with position-sensitive detectors  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Correia, JG ; Cardoso, S; Marques, JG ; Vantomme, A; Langouche, G;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 13th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA-13) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 136
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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