41
TÍTULO: The 777 meV photoluminescence band in Si : Pt  Full Text
AUTORES: Leitao, JP ; Carmo, MC; Henry, MO; McGlynn, E; Bolmann, J; Lindner, S;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 273-4
INDEXADO EM: Scopus WOS
42
TÍTULO: Stress study of 1.5 mu m emission in Si:Er and GaAs:Er  Full Text
AUTORES: Leitao, JP ; Carmo, MC; Henry, MO;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 1996 International Conference on luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL 96) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 72-4
INDEXADO EM: Scopus WOS
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TÍTULO: The photoluminescence of Pt-implanted silicon
AUTORES: Alves, E ; Bollmann, J; Deicher, M; Carmo, MC; Henry, MO; Knopf, MHA; Leitao, JP ; Magerle, R; McDonagh, CJ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19) in DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3, VOLUME: 258-2, NÚMERO: PART 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
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