José Pedro de Abreu Coutinho


AuthID: R-000-8V3

Publicações Confirmadas: 105



81
TÍTULO: Vibrational properties of elemental hydrogen centres in Si, Ge and dilute SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Balsas, A ; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Hourahine, B; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 1st International Workshop on Coordination Action on Defects Relevent to Engineering Silicon-Based Devices in JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 17, NÚMERO: 22
INDEXADO EM: WOS
82
TÍTULO: Vibrational properties of elemental hydrogen centres in Si, Ge and dilute SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Balsas, A ; Torres, VJB ; Coutinho, J ; Jones, R; Hourahine, B; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Journal of Physics Condensed Matter, VOLUME: 17, NÚMERO: 22
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
NO MEU: ORCID
83
TÍTULO: Calculation of deep states in SiGe alloys: Interstitial carbon-oxygen complexes
AUTORES: Balsas, A ; Coutinho, J ; Torres, VJB ; Briddon, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 70, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 19
NO MEU: ORCID
84
TÍTULO: Electronic levels of interstitial carbon and carbon-oxygen centers in SiGe alloys  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Balsas, A ; Torres, VJB ; Briddom, PR; Barroso, M ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Material Science Issues in Advanced CMOS Source-Drain Engineeing held at the E-MRS 2004 Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 114, NÚMERO: SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID
85
TÍTULO: Lattice isotope effects on optical transitions in silicon
AUTORES: Hayama, S; Davies, G; Tan, J; Coutinho, J ; Jones, R; Itoh, KM;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 70, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 15
NO MEU: ORCID
86
TÍTULO: Optically active erbium-oxygen complexes in GaAs  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Jones, R; Shaw, MJ; Briddon, PR; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 84, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
NO MEU: ORCID
87
TÍTULO: Structure and properties of vacancy-oxygen complexes in Si1-xGex alloys
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Coutinho, J ; Jones, R; Torres, VJB ; Oberg, S; Briddon, PR; Murin, LI; Dobaczewski, L; Abrosimov, NV;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 69, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 31
NO MEU: ORCID
88
TÍTULO: Ab initio modeling of Be-H and Zn-H complexes in Si  Full Text
AUTORES: Coutinho, J ; Torres, VJB ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
NO MEU: ORCID
89
TÍTULO: Ab initio modeling of N-H, P-H and As-H defects in ZnSe  Full Text
AUTORES: Torres, VJB ; Coutinho, J ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
NO MEU: ORCID
90
TÍTULO: Effect of stress on the energy levels of the vacancy-oxygen-hydrogen complex in Si
AUTORES: Coutinho, J ; Andersen, O; Dobaczewski, L; Nielsen, KB; Peaker, AR; Jones, R; Oberg, S; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 68, NÚMERO: 18
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 20
NO MEU: ORCID
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