José Pedro de Abreu Coutinho


AuthID: R-000-8V3

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TÍTULO: The trivacancy and trivacancy-oxygen family of defects in silicon
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Lastovskii, SB; Murin, LI; Coutinho, J ; Rayson, MJ; Briddon, PR; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: 15th International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST) in GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY XV, VOLUME: 205-206
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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2
TÍTULO: Born effective charges of Cu2ZnSnS4 quaternary compound: First principles calculations  Full Text
AUTORES: Oliveira, TA; Coutinho, J ; Torres, VJB ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Symposium B on Thin Film Chalcogenide Photovoltaic Materials of the 11th E-MRS Spring Meetings in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 535, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
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3
TÍTULO: Strain-induced structure transformations on Si(111) and Ge(111) surfaces: A combined density-functional and scanning tunneling microscopy study  Full Text
AUTORES: Zhachuk, R; Teys, S; Coutinho, J ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, VOLUME: 138, NÚMERO: 22
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 16
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4
TÍTULO: Elastic and optical properties of Cu2ZnSn(SexS1-x)(4) alloys: density functional calculations  Full Text
AUTORES: Camps, I; Coutinho, J ; Mir, M; da Cunha, AF ; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 27, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 14
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5
TÍTULO: Electrical activity of multivacancy defects in silicon. Electrical activity of multivacancy defects in silicon  Full Text
AUTORES: Santos, P; Coutinho, J ; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Symposium A on Advanced Silicon Materials Research for Electronic and Photovoltaic Applications III / Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 10-11, VOLUME: 9, NÚMERO: 10-11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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6
TÍTULO: Electronic and dynamical properties of the silicon trivacancy
AUTORES: Coutinho, J ; Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Lastovskii, SB; Murin, LI; Svensson, BJ; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 86, NÚMERO: 17
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 26
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7
TÍTULO: Light induced degradation in B doped Cz-Si solar cells  Full Text
AUTORES: Alexandra Carvalho; Paulo Santos; Jose Coutinho ; Robert Jones; Mark J Rayson; Patrick R Briddon;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 209, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
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8
TÍTULO: Nature of contrast in Ge/Si(111) layers in scanning tunneling microscopy in the presence of Bi and Sb surfactants  Full Text
AUTORES: Zhachuk, RA; Olshanetsky, BZ; Coutinho, J ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: JETP LETTERS, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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9
TÍTULO: Reconfigurations and diffusion of trivacancy in silicon  Full Text
AUTORES: Markevich, VP; Peaker, AR; Hamilton, B; Lastovskii, SB; Murin, LI; Coutinho, J ; Markevich, AV; Rayson, MJ; Briddon, PR; Svensson, BG;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 26th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 407, NÚMERO: 15
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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10
TÍTULO: Ab initio study of height contrast in scanning tunneling microscopy of Ge/Si surface layers grown on Si(111) in presence of Bi
AUTORES: Ruslan Zhachuk; Jose Coutinho ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 19
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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