1
TÍTULO: Further insight into the temperature quenching of photoluminescence from InAs/GaAs self-assembled quantum dots  Full Text
AUTORES: Chahboun, A ; Vasilevskiy, MI ; Baidus, NV; Cavaco, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Alves, E ; Zvonkov, BN;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 103, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 18
2
TÍTULO: Preliminary investigations of infrared Er-related photoluminescence in ion-implanted In0.07Ga0.93N  Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Cavaco, A; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
3
TÍTULO: Enhanced radiation hardness of InAs/GaAs quantum dot structures  Full Text
AUTORES: Sobolev, NA; Cavaco, A; Carmo, MC; Grundmann, M; Heinrichsdorff, F; Bimberg, D;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2000) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 224, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 25