Maria Eduarda da Cunha Pereira
AuthID: R-000-B9J
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TÃTULO: Strain and composition distributions in wurtzite InGaN/GaN layers extracted from x-ray reciprocal space mapping (vol 80, pg 3913, 2002) Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Deatcher, CJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 18
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Deatcher, CJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 18
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TÃTULO: Depth profiling InGaN/GaN multiple quantum wells by Rutherford backscattering: The role of intermixing Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Pereira, E; Alves, E ; Barradas, NP ; O'Donnell, KP; Liu, C; Deatcher, CJ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 16
AUTORES: Pereira, S ; Pereira, E; Alves, E ; Barradas, NP ; O'Donnell, KP; Liu, C; Deatcher, CJ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 16
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TÃTULO: Microwave plasma chemical vapour deposition diamond nucleation on ferrous substrates with Ti and Cr interlayers Full Text
AUTORES: Silva, FJG ; Baptista, APM ; Pereira, E; Teixeira, V ; Fan, QH; Fernandes, AJS; Costa, FM ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 11, NÚMERO: 9
AUTORES: Silva, FJG ; Baptista, APM ; Pereira, E; Teixeira, V ; Fan, QH; Fernandes, AJS; Costa, FM ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 11, NÚMERO: 9
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TÃTULO: Structural and optical properties of InGaN/GaN layers close to the critical layer thickness Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; Trager Cowan, C; Sweeney, F; O'Donnell, KP; Alves, E ; Franco, N; Sequeira, AD;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 7
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; Trager Cowan, C; Sweeney, F; O'Donnell, KP; Alves, E ; Franco, N; Sequeira, AD;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Preliminary investigations of infrared Er-related photoluminescence in ion-implanted In0.07Ga0.93N Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Cavaco, A; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 24
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Cavaco, A; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 24
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TÃTULO: Splitting of X-ray diffraction and photoluminescence peaks in InGaN/GaN layers Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Martin, RW; White, ME; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 93, NÚMERO: 1-3
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Martin, RW; White, ME; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 93, NÚMERO: 1-3
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TÃTULO: Strain relaxation and compositional analysis of InGaN/GaN layers by Rutherford backscattering Full Text
AUTORES: Alves, E ; Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 15th International Conference on Ion-Beam Analysis (IBA-15) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 190, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Alves, E ; Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 15th International Conference on Ion-Beam Analysis (IBA-15) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 190, NÚMERO: 1-4
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TÃTULO: Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers (vol 79, pg 1432, 2001) Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: 
Scopus 
WOS
Scopus WOS249
TÃTULO: Degradation of structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells with increasing number of wells Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Watson, IM; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Low temperature photoluminescence, transient photoconductivity and microwave reflection for optical properties and transport in PLD-GaN Full Text
AUTORES: Niehus, M; Sanguino, P; Schwarz, R ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Pereira, E; Kunst, M; Koynov, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
AUTORES: Niehus, M; Sanguino, P; Schwarz, R ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Pereira, E; Kunst, M; Koynov, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
